核技术
覈技術
핵기술
NUCLEAR TECHNIQUES
2006年
3期
198-201
,共4页
杨怀民%徐曦%邓建红%詹峻岭%赵聚朝%王旭利%袁国火
楊懷民%徐晞%鄧建紅%詹峻嶺%趙聚朝%王旭利%袁國火
양부민%서희%산건홍%첨준령%조취조%왕욱리%원국화
辐射效应%电离总剂量%计算机芯片%X射线剂量增强
輻射效應%電離總劑量%計算機芯片%X射線劑量增彊
복사효응%전리총제량%계산궤심편%X사선제량증강
介绍大规模集成电路N80C196KC20单片机芯片在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应.用Intel公司的N80C196KC20单片机芯片进行X射线、钴源总剂量辐照试验,测量了电源工作电流ICC,芯片的功能失效表征了它的总剂量响应.芯片在较低的总剂量水平发生功能失效,γ失效总剂量～165 Gy(Si).芯片失效时工作电流发生快速增长.实验测量了N80C196KC20单片机芯片的X射线剂量增强系数,研究了剂量增强效应机理.
介紹大規模集成電路N80C196KC20單片機芯片在X射線輻射環境下性能的退化及劑量增彊效應.用Intel公司的N80C196KC20單片機芯片進行X射線、鈷源總劑量輻照試驗,測量瞭電源工作電流ICC,芯片的功能失效錶徵瞭它的總劑量響應.芯片在較低的總劑量水平髮生功能失效,γ失效總劑量～165 Gy(Si).芯片失效時工作電流髮生快速增長.實驗測量瞭N80C196KC20單片機芯片的X射線劑量增彊繫數,研究瞭劑量增彊效應機理.
개소대규모집성전로N80C196KC20단편궤심편재X사선복사배경하성능적퇴화급제량증강효응.용Intel공사적N80C196KC20단편궤심편진행X사선、고원총제량복조시험,측량료전원공작전류ICC,심편적공능실효표정료타적총제량향응.심편재교저적총제량수평발생공능실효,γ실효총제량～165 Gy(Si).심편실효시공작전류발생쾌속증장.실험측량료N80C196KC20단편궤심편적X사선제량증강계수,연구료제량증강효응궤리.
