退火对Si(111)衬底上ZnO薄膜的结构和发光特性的影响
퇴화대Si(111)츤저상ZnO박막적결구화발광특성적영향
Effects of Annealing on the Structure and Photoluminescence of ZnO Thin Films Grown on Silicon Substrate
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2006年 3期 660-665 ,共6页

    汪洪%苏凤莲%周圣明%宋学平%刘艳美%李爱侠%尹平%孙兆奇

    왕홍%소봉련%주골명%송학평%류염미%리애협%윤평%손조기

    ZnO薄膜%磁控溅射%X射线衍射%光致发光 ZnO薄膜%磁控濺射%X射線衍射%光緻髮光
    ZnO박막%자공천사%X사선연사%광치발광
    采用磁控溅射法在硅(111)衬底上制备了C轴高度取向的ZnO薄膜,并研究了退火温度和氧气气氛对ZnO薄膜晶体质量、晶粒度大小和光致发光谱的影响.X射线衍射表明,所有薄膜均为高度C轴择优取向,当退火温度低于900℃时,随着退火温度的升高,薄膜的取向性和结晶度都明显提高.室温下对ZnO薄膜进行了光谱分析,退火后的样品均可观测到明显的紫光发射.在一定的退火温度范围内,还可以观测到明显的紫外双峰.空气中退火的样品,当退火温度达到或高于600℃还可观测到绿光发射.实验结果表明,发光峰强度随退火温度和氧气气氛不同而不同,通过改变退火时的温度和氧气气氛可以改变ZnO薄膜的微结构和发光性质.
    채용자공천사법재규(111)츤저상제비료C축고도취향적ZnO박막,병연구료퇴화온도화양기기분대ZnO박막정체질량、정립도대소화광치발광보적영향.X사선연사표명,소유박막균위고도C축택우취향,당퇴화온도저우900℃시,수착퇴화온도적승고,박막적취향성화결정도도명현제고.실온하대ZnO박막진행료광보분석,퇴화후적양품균가관측도명현적자광발사.재일정적퇴화온도범위내,환가이관측도명현적자외쌍봉.공기중퇴화적양품,당퇴화온도체도혹고우600℃환가관측도록광발사.실험결과표명,발광봉강도수퇴화온도화양기기분불동이불동,통과개변퇴화시적온도화양기기분가이개변ZnO박막적미결구화발광성질.
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