GaN基HEMT器件的表面陷阱充电效应研究
GaN기HEMT기건적표면함정충전효응연구
Investigation on Surface Trapping Effects of GaN-Based HEMT
  • 万方数据
    半导体技术 반도체기술
    SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
    2006年 11期 856-858,867 ,共4页

    罗谦%杜江锋%罗大为%朱磊%龙飞%靳翀%周伟%杨谟华

    라겸%두강봉%라대위%주뢰%룡비%근충%주위%양모화

    氮化镓%表面态%电流崩塌 氮化鎵%錶麵態%電流崩塌
    담화가%표면태%전류붕탑
    设计了一种实验方法用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱充电效应对于薄膜电阻的影响,该效应与GaN基HEMT电流崩塌现象直接相关.测量获得了AlGaN/GaN异质结结构薄膜电阻在周期栅脉冲信号下的变化规律.薄膜电阻在低频区域对脉冲频率十分敏感,而在高频时出现饱和.当信号频率足够高时(≥4kHz),AlGaN/GaN薄膜将呈现高阻,器件关断,说明二维电子气已被表面陷阱电荷耗尽.该实验为研究表面陷阱与电流崩塌效应的关系提供了新的证据.
    설계료일충실험방법용이연구AlGaN/GaN외연표면함정충전효응대우박막전조적영향,해효응여GaN기HEMT전류붕탑현상직접상관.측량획득료AlGaN/GaN이질결결구박막전조재주기책맥충신호하적변화규률.박막전조재저빈구역대맥충빈솔십분민감,이재고빈시출현포화.당신호빈솔족구고시(≥4kHz),AlGaN/GaN박막장정현고조,기건관단,설명이유전자기이피표면함정전하모진.해실험위연구표면함정여전류붕탑효응적관계제공료신적증거.
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