CAJ | 학술논문

万方数据

半导体学报 반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年 z1期 1-6 ,共6页

陈宝钦%刘明%徐秋霞%薛丽君%李金儒%汤跃科%赵珉%刘珠明%王德强%任黎明%胡勇%龙世兵%陆晶%杨清华%张立辉%牛洁斌

진보흠%류명%서추하%설려군%리금유%탕약과%조민%류주명%왕덕강%임려명%호용%룡세병%륙정%양청화%장립휘%우길빈

微光刻技术%微纳米加工技术%电子束直写%匹配与混合光刻技术微光刻技術%微納米加工技術%電子束直寫%匹配與混閤光刻技術
미광각기술%미납미가공기술%전자속직사%필배여혼합광각기술

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术;(5)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术.该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作,实现了20nm线条曝光,研制成功了27n m CMOS器件;进行了50nm单电子器件的演试;并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.
개소여하실현광학화전자속폭광계통지간적필배화혼합광각적기술,포괄:(1)광학폭광계통여전자속폭광계통적필배기술;(2)투영광각화JBX-5000LS혼합폭광기술;(3)접촉식광각궤화JBX-5000LS혼합폭광기술;(4)대소속류혼합폭광기술혹대소광란혼합폭광기술;(5)전자속여광학폭광계통혼합광각대준표기제작기술.해기술이성공지응용우납미기건화집성전로적연제공작,실현료20nm선조폭광,연제성공료27n m CMOS기건;진행료50nm단전자기건적연시;병엄범지용우100nm화합물기건화기타미/납미결구적제조.