重庆理工大学学报（自然科学版）
重慶理工大學學報（自然科學版）
중경리공대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF CHONGQING INSTITUTE OF TECHNOLOGY
2014年
4期
104-107
,共4页
分子束外延%Ⅴ/Ⅲ比%GaN纳米柱
分子束外延%Ⅴ/Ⅲ比%GaN納米柱
분자속외연%Ⅴ/Ⅲ비%GaN납미주
MBE%Ⅴ/Ⅲ radio%GaN nanocolumns
首次使用纳米压印和分子束外延(MBE)相结合的方法在图形化衬底上成功制备出GaN纳米柱,并用XRD和AFM对其形貌和结构特性进行了分析表征.XRD分析表明所制备的GaN纳米柱在(0002)方向择优生长.计算得出GaN纳米柱的尺寸约为30 nm.原子力显微镜AFM分析发现:随着Ⅴ/Ⅲ的增大,表面粗糙度逐渐降低.基于XRD和AFM分析结果,讨论了Ⅴ/Ⅲ比对制备GaN纳米柱形貌和结构的影响.
首次使用納米壓印和分子束外延(MBE)相結閤的方法在圖形化襯底上成功製備齣GaN納米柱,併用XRD和AFM對其形貌和結構特性進行瞭分析錶徵.XRD分析錶明所製備的GaN納米柱在(0002)方嚮擇優生長.計算得齣GaN納米柱的呎吋約為30 nm.原子力顯微鏡AFM分析髮現:隨著Ⅴ/Ⅲ的增大,錶麵粗糙度逐漸降低.基于XRD和AFM分析結果,討論瞭Ⅴ/Ⅲ比對製備GaN納米柱形貌和結構的影響.
수차사용납미압인화분자속외연(MBE)상결합적방법재도형화츤저상성공제비출GaN납미주,병용XRD화AFM대기형모화결구특성진행료분석표정.XRD분석표명소제비적GaN납미주재(0002)방향택우생장.계산득출GaN납미주적척촌약위30 nm.원자력현미경AFM분석발현:수착Ⅴ/Ⅲ적증대,표면조조도축점강저.기우XRD화AFM분석결과,토론료Ⅴ/Ⅲ비대제비GaN납미주형모화결구적영향.
