半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
6期
550-554
,共5页
赵亚俊%常昌远%陈海进%高国华
趙亞俊%常昌遠%陳海進%高國華
조아준%상창원%진해진%고국화
方形扁平无引线封装%分层失效%有限元数值模拟%湿扩散与热应力
方形扁平無引線封裝%分層失效%有限元數值模擬%濕擴散與熱應力
방형편평무인선봉장%분층실효%유한원수치모의%습확산여열응력
采用湿度敏感度评价试验及湿-热仿真方法,分析了温湿度对于QFN封装分层失效的影响.通过C-SAM和SEM等观察发现,QFN存在多种分层形式,分层大多发生在封装内部材料的界面上,包括封装塑封材料和芯片之间的界面、塑封材料和框架之间的界面等.此外,在封装断面研磨的SEM图像上发现芯片粘结剂内部有空洞出现.利用有限元数值模拟的方法,对QFN封装的内部湿气扩散、回流过程中的热应力分布等进行了模拟,分析QFN分层失效的形成原因.结果表明,由于塑封器件材料、芯片、框架间CTE失配,器件在高温状态湿气扩散形成高气压条件下易产生分层.最后提出了改善QFN分层失效的措施.
採用濕度敏感度評價試驗及濕-熱倣真方法,分析瞭溫濕度對于QFN封裝分層失效的影響.通過C-SAM和SEM等觀察髮現,QFN存在多種分層形式,分層大多髮生在封裝內部材料的界麵上,包括封裝塑封材料和芯片之間的界麵、塑封材料和框架之間的界麵等.此外,在封裝斷麵研磨的SEM圖像上髮現芯片粘結劑內部有空洞齣現.利用有限元數值模擬的方法,對QFN封裝的內部濕氣擴散、迴流過程中的熱應力分佈等進行瞭模擬,分析QFN分層失效的形成原因.結果錶明,由于塑封器件材料、芯片、框架間CTE失配,器件在高溫狀態濕氣擴散形成高氣壓條件下易產生分層.最後提齣瞭改善QFN分層失效的措施.
채용습도민감도평개시험급습-열방진방법,분석료온습도대우QFN봉장분층실효적영향.통과C-SAM화SEM등관찰발현,QFN존재다충분층형식,분층대다발생재봉장내부재료적계면상,포괄봉장소봉재료화심편지간적계면、소봉재료화광가지간적계면등.차외,재봉장단면연마적SEM도상상발현심편점결제내부유공동출현.이용유한원수치모의적방법,대QFN봉장적내부습기확산、회류과정중적열응력분포등진행료모의,분석QFN분층실효적형성원인.결과표명,유우소봉기건재료、심편、광가간CTE실배,기건재고온상태습기확산형성고기압조건하역산생분층.최후제출료개선QFN분층실효적조시.
