半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
8期
800-802
,共3页
高兆丰%童亮%高金环%徐立生
高兆豐%童亮%高金環%徐立生
고조봉%동량%고금배%서립생
长期贮存%可靠性%失效率%可焊性%水汽含量
長期貯存%可靠性%失效率%可銲性%水汽含量
장기저존%가고성%실효솔%가한성%수기함량
分析了在北方实验室条件下,贮存25年的国产商用高频小功率晶体管的特性与可靠性,通过对10批共1460只器件的试验、检测,并与25年前的原始数据进行对比分析,发现了贮存器件存在直流放大倍数(HFE)退化、内引线开路、外引线可焊性失效三种失效模式,并对其失效原因、失效机理进行了分析.在考虑到现代技术可以消除的因素(用充干N2封装或已焊接使用),预计80年代的国产商用高频小功率晶体管贮存失效率水平小于10-7.用贮存25年的实物揭示了国产半导体器件贮存存在的主要失效模式,为国产半导体器件提高贮存可靠性提供了真实可靠的依据.
分析瞭在北方實驗室條件下,貯存25年的國產商用高頻小功率晶體管的特性與可靠性,通過對10批共1460隻器件的試驗、檢測,併與25年前的原始數據進行對比分析,髮現瞭貯存器件存在直流放大倍數(HFE)退化、內引線開路、外引線可銲性失效三種失效模式,併對其失效原因、失效機理進行瞭分析.在攷慮到現代技術可以消除的因素(用充榦N2封裝或已銲接使用),預計80年代的國產商用高頻小功率晶體管貯存失效率水平小于10-7.用貯存25年的實物揭示瞭國產半導體器件貯存存在的主要失效模式,為國產半導體器件提高貯存可靠性提供瞭真實可靠的依據.
분석료재북방실험실조건하,저존25년적국산상용고빈소공솔정체관적특성여가고성,통과대10비공1460지기건적시험、검측,병여25년전적원시수거진행대비분석,발현료저존기건존재직류방대배수(HFE)퇴화、내인선개로、외인선가한성실효삼충실효모식,병대기실효원인、실효궤리진행료분석.재고필도현대기술가이소제적인소(용충간N2봉장혹이한접사용),예계80년대적국산상용고빈소공솔정체관저존실효솔수평소우10-7.용저존25년적실물게시료국산반도체기건저존존재적주요실효모식,위국산반도체기건제고저존가고성제공료진실가고적의거.
