压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2010年
4期
634-637,641
,共5页
黎威志%陶毅%亢喆%许华胜%余欢
黎威誌%陶毅%亢喆%許華勝%餘歡
려위지%도의%항철%허화성%여환
氮化硅%低频等离子增强化学气相沉积(LF-PECVD)%密度%应力%红外光谱
氮化硅%低頻等離子增彊化學氣相沉積(LF-PECVD)%密度%應力%紅外光譜
담화규%저빈등리자증강화학기상침적(LF-PECVD)%밀도%응력%홍외광보
研究了低频等离子增强化学气相沉积(LF-PECVD)工艺中气体流量比和衬底温度对氮化硅薄膜折射率、密度及应力的影响规律,同时测试了薄膜的红外光谱以分析不同条件对薄膜成分的影响.结果表明,低频氮化硅薄膜折射率主要受薄膜内硅氮元素比的影响,其次是薄膜密度的影响.前者主要由硅烷/氨气反应气体流量比决定,而后者主要由衬底温度决定;低频氮化硅薄膜应力大致与密度成正比关系.此外,PECVD工艺所制备氮化硅薄膜都含有相当数量的氢元素,而衬底温度是薄膜内氢含量的决定因素.
研究瞭低頻等離子增彊化學氣相沉積(LF-PECVD)工藝中氣體流量比和襯底溫度對氮化硅薄膜摺射率、密度及應力的影響規律,同時測試瞭薄膜的紅外光譜以分析不同條件對薄膜成分的影響.結果錶明,低頻氮化硅薄膜摺射率主要受薄膜內硅氮元素比的影響,其次是薄膜密度的影響.前者主要由硅烷/氨氣反應氣體流量比決定,而後者主要由襯底溫度決定;低頻氮化硅薄膜應力大緻與密度成正比關繫.此外,PECVD工藝所製備氮化硅薄膜都含有相噹數量的氫元素,而襯底溫度是薄膜內氫含量的決定因素.
연구료저빈등리자증강화학기상침적(LF-PECVD)공예중기체류량비화츤저온도대담화규박막절사솔、밀도급응력적영향규률,동시측시료박막적홍외광보이분석불동조건대박막성분적영향.결과표명,저빈담화규박막절사솔주요수박막내규담원소비적영향,기차시박막밀도적영향.전자주요유규완/안기반응기체류량비결정,이후자주요유츤저온도결정;저빈담화규박막응력대치여밀도성정비관계.차외,PECVD공예소제비담화규박막도함유상당수량적경원소,이츤저온도시박막내경함량적결정인소.
