电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2011年
6期
615-617
,共3页
沈匿%林祖伦%祁康成%杨隆杰%叶宗标%王祝娇
瀋匿%林祖倫%祁康成%楊隆傑%葉宗標%王祝嬌
침닉%림조륜%기강성%양륭걸%협종표%왕축교
ZnO-TFT%输出特性%磁控溅射%透过率
ZnO-TFT%輸齣特性%磁控濺射%透過率
ZnO-TFT%수출특성%자공천사%투과솔
采用直流磁控溅射在SiO2/n-Si(111)衬底上沉积了Al薄膜,经过光刻、刻蚀形成源漏极,再采用射频磁控溅射沉积ZnO薄膜作为有源层,成功制备了底栅顶接触结构的ZnO-TFT,Al膜厚135nm,ZnO膜厚110nm.实验结果表明,薄膜晶体管展示出明显的栅控特性以及饱和特性,ZnO薄膜沿C轴择优取向生长,且在可见光波长区域的平均透过率超过85％.
採用直流磁控濺射在SiO2/n-Si(111)襯底上沉積瞭Al薄膜,經過光刻、刻蝕形成源漏極,再採用射頻磁控濺射沉積ZnO薄膜作為有源層,成功製備瞭底柵頂接觸結構的ZnO-TFT,Al膜厚135nm,ZnO膜厚110nm.實驗結果錶明,薄膜晶體管展示齣明顯的柵控特性以及飽和特性,ZnO薄膜沿C軸擇優取嚮生長,且在可見光波長區域的平均透過率超過85％.
채용직류자공천사재SiO2/n-Si(111)츤저상침적료Al박막,경과광각、각식형성원루겁,재채용사빈자공천사침적ZnO박막작위유원층,성공제비료저책정접촉결구적ZnO-TFT,Al막후135nm,ZnO막후110nm.실험결과표명,박막정체관전시출명현적책공특성이급포화특성,ZnO박막연C축택우취향생장,차재가견광파장구역적평균투과솔초과85％.
