固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
2期
180-183
,共4页
肖胜安%程晓华%吴智勇%许升高%季伟%何亦骅
肖勝安%程曉華%吳智勇%許升高%季偉%何亦驊
초성안%정효화%오지용%허승고%계위%하역화
硅通孔%金属钨(W)%覆盖率%无缝填充
硅通孔%金屬鎢(W)%覆蓋率%無縫填充
규통공%금속오(W)%복개솔%무봉전충
硅通孔(Through silicon via)的互连技术是3D IC集成中的一种重要工艺.报道了一种高深宽比的垂直互连穿透硅通孔工艺,其通孔的深宽比达到50以上；研究了利用钨填充硅通孔的一些关键工艺,包括阻挡层淀积工艺和钨填充工艺,分析了不同填充工艺所造成的应力的变化.最后获得了一种深宽比达到58:1的深硅通孔无缝填充.
硅通孔(Through silicon via)的互連技術是3D IC集成中的一種重要工藝.報道瞭一種高深寬比的垂直互連穿透硅通孔工藝,其通孔的深寬比達到50以上；研究瞭利用鎢填充硅通孔的一些關鍵工藝,包括阻擋層澱積工藝和鎢填充工藝,分析瞭不同填充工藝所造成的應力的變化.最後穫得瞭一種深寬比達到58:1的深硅通孔無縫填充.
규통공(Through silicon via)적호련기술시3D IC집성중적일충중요공예.보도료일충고심관비적수직호련천투규통공공예,기통공적심관비체도50이상；연구료이용오전충규통공적일사관건공예,포괄조당층정적공예화오전충공예,분석료불동전충공예소조성적응력적변화.최후획득료일충심관비체도58:1적심규통공무봉전충.
