CAJ | 학술논문

利用射频磁控溅射方法, 在n型(100)Si(0.008～0.02 Ω·m)基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜. 红外光谱分析表明, BN薄膜结构均为六角BN(h-BN)相. 在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性, 发现BN薄膜的场发射特性与基底偏压关系很大, 阈值电场随基底偏压的增加先增加后减小. 基底偏压为-140 V时BN薄膜样品场发射特性要好于其他样品, 阈值电场低于8 V/μm. F～N曲线表明, 在外加电场的作用下, 电子隧穿BN薄膜表面势垒发射到真空.
이용사빈자공천사방법, 재n형(100)Si(0.008～0.02 Ω·m)기저상침적료담화붕(BN)박막. 홍외광보분석표명, BN박막결구균위륙각BN(h-BN)상. 재초고진공계통중측량료BN박막적장발사특성, 발현BN박막적장발사특성여기저편압관계흔대, 역치전장수기저편압적증가선증가후감소. 기저편압위-140 V시BN박막양품장발사특성요호우기타양품, 역치전장저우8 V/μm. F～N곡선표명, 재외가전장적작용하, 전자수천BN박막표면세루발사도진공.