SiGe/Si HBT低频噪声特性研究
SiGe/Si HBT저빈조성특성연구
Low-Frequency Noise Characteristics of Si/SiGe HBT's
  • 万方数据
    微电子学 미전자학
    MICROELECTRONICS
    2006年 1期 23-26 ,共4页

    张万荣%高攀%金冬月%张静%张正元%刘道广%王健安%徐学良%陈光炳

    장만영%고반%금동월%장정%장정원%류도엄%왕건안%서학량%진광병

    SiGe/Si%异质结晶体管%低频噪声 SiGe/Si%異質結晶體管%低頻譟聲
    SiGe/Si%이질결정체관%저빈조성
    对Si/Si1-xGex HBT的低频噪声进行了模拟.频率、基极电流、集电极电流、发射极几何尺寸(面积、条长)、Ge组份x、温度等诸多因素都对低频噪声有影响.模拟结果表明,Si/SiGe HBT具有优异的低频噪声特性.
    대Si/Si1-xGex HBT적저빈조성진행료모의.빈솔、기겁전류、집전겁전류、발사겁궤하척촌(면적、조장)、Ge조빈x、온도등제다인소도대저빈조성유영향.모의결과표명,Si/SiGe HBT구유우이적저빈조성특성.
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