稀有金属
稀有金屬
희유금속
CHINESE JOURNAL OF RARE METALS
2007年
z1期
87-90
,共4页
陈洪建%张维连%陈贵峰%李养贤
陳洪建%張維連%陳貴峰%李養賢
진홍건%장유련%진귀봉%리양현
氮化镓(GaN)%氢化物汽相外延(HVPE)%金属有机化学气相沉积(MOCVD)%自支撑氮化镓(FS GaN)
氮化鎵(GaN)%氫化物汽相外延(HVPE)%金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)%自支撐氮化鎵(FS GaN)
담화가(GaN)%경화물기상외연(HVPE)%금속유궤화학기상침적(MOCVD)%자지탱담화가(FS GaN)
目前异质外延技术能够得到较高质量的氮化镓(GaN)薄膜,衬底普遍采用蓝宝石、碳化硅以及硅等.各种技术包括缓冲层、外延横向生长技术、悬挂外延技术等是目前最重要的制备氮化镓技术.氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓衬底最有希望的方法之一.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了氮化镓体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延原理,分析了HVPE制备自支撑(FS)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展.
目前異質外延技術能夠得到較高質量的氮化鎵(GaN)薄膜,襯底普遍採用藍寶石、碳化硅以及硅等.各種技術包括緩遲層、外延橫嚮生長技術、懸掛外延技術等是目前最重要的製備氮化鎵技術.氫化物氣相外延(HVPE)是製備氮化鎵襯底最有希望的方法之一.本文介紹瞭氮化鎵材料的電學、光學性質及重要用途,總結瞭氮化鎵體單晶及薄膜材料製備方法,描述瞭氫化物氣相外延原理,分析瞭HVPE製備自支撐(FS)GaN襯底方法,綜述瞭HVPE技術國內外研究進展.
목전이질외연기술능구득도교고질량적담화가(GaN)박막,츤저보편채용람보석、탄화규이급규등.각충기술포괄완충층、외연횡향생장기술、현괘외연기술등시목전최중요적제비담화가기술.경화물기상외연(HVPE)시제비담화가츤저최유희망적방법지일.본문개소료담화가재료적전학、광학성질급중요용도,총결료담화가체단정급박막재료제비방법,묘술료경화물기상외연원리,분석료HVPE제비자지탱(FS)GaN츤저방법,종술료HVPE기술국내외연구진전.
