电子科技
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전자과기
IT AGE
2010年
2期
33-35
,共3页
赵鸿飞%杜磊%何亮%包军林
趙鴻飛%杜磊%何亮%包軍林
조홍비%두뢰%하량%포군림
单结晶体管(UJT)%γ射线%实时监测%基区电阻
單結晶體管(UJT)%γ射線%實時鑑測%基區電阻
단결정체관(UJT)%γ사선%실시감측%기구전조
对在γ射线辐照条件下的单结晶体管基区阻值进行了多点测量和实时监测.结果发现:单结晶体管基区电阻值随γ射线辐照剂量的增加,具有先减小后增大的规律.对比国内外相关实验结果,从γ射线与物质作用微观分析,证明位移效应是单结晶体管基区电阻在γ射线辐照下的主要效应,但它较电离效应具有一定滞后性.
對在γ射線輻照條件下的單結晶體管基區阻值進行瞭多點測量和實時鑑測.結果髮現:單結晶體管基區電阻值隨γ射線輻照劑量的增加,具有先減小後增大的規律.對比國內外相關實驗結果,從γ射線與物質作用微觀分析,證明位移效應是單結晶體管基區電阻在γ射線輻照下的主要效應,但它較電離效應具有一定滯後性.
대재γ사선복조조건하적단결정체관기구조치진행료다점측량화실시감측.결과발현:단결정체관기구전조치수γ사선복조제량적증가,구유선감소후증대적규률.대비국내외상관실험결과,종γ사선여물질작용미관분석,증명위이효응시단결정체관기구전조재γ사선복조하적주요효응,단타교전리효응구유일정체후성.
