半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
8期
852-854
,共3页
特定相位%高功率%S波段%开关%仿真
特定相位%高功率%S波段%開關%倣真
특정상위%고공솔%S파단%개관%방진
为满足相控阵天线的特定相位、小型化及高功率的要求,研制了一种S波段SP4T开关,阐述了开关的设计仿真方法,详细分析了开关的相位和大功率设计.用矢量网络分析仪测得结果为插入损耗IL＜0.6 dB,隔离大于40 dB,传输相位和反射相位小于5°,输入输出驻波比小于1.3.结果表明,微带线的尺寸不仅影响开关的传输相位和反射相位,还影响开关的插入损耗,微带线的调整在改善相位的同时,也有可能会使开关的插入损耗变差,反射相位的改变会同时影响传输相位和插入损耗的大小.揭示了开关传输反射相位、插入损耗和微带线尺寸之间的相互联系,通过测量比较,研究了接插件对相位带来的影响,讨论了开关的大功率设计方法.
為滿足相控陣天線的特定相位、小型化及高功率的要求,研製瞭一種S波段SP4T開關,闡述瞭開關的設計倣真方法,詳細分析瞭開關的相位和大功率設計.用矢量網絡分析儀測得結果為插入損耗IL＜0.6 dB,隔離大于40 dB,傳輸相位和反射相位小于5°,輸入輸齣駐波比小于1.3.結果錶明,微帶線的呎吋不僅影響開關的傳輸相位和反射相位,還影響開關的插入損耗,微帶線的調整在改善相位的同時,也有可能會使開關的插入損耗變差,反射相位的改變會同時影響傳輸相位和插入損耗的大小.揭示瞭開關傳輸反射相位、插入損耗和微帶線呎吋之間的相互聯繫,通過測量比較,研究瞭接插件對相位帶來的影響,討論瞭開關的大功率設計方法.
위만족상공진천선적특정상위、소형화급고공솔적요구,연제료일충S파단SP4T개관,천술료개관적설계방진방법,상세분석료개관적상위화대공솔설계.용시량망락분석의측득결과위삽입손모IL＜0.6 dB,격리대우40 dB,전수상위화반사상위소우5°,수입수출주파비소우1.3.결과표명,미대선적척촌불부영향개관적전수상위화반사상위,환영향개관적삽입손모,미대선적조정재개선상위적동시,야유가능회사개관적삽입손모변차,반사상위적개변회동시영향전수상위화삽입손모적대소.게시료개관전수반사상위、삽입손모화미대선척촌지간적상호련계,통과측량비교,연구료접삽건대상위대래적영향,토론료개관적대공솔설계방법.
