半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
5期
373-377,392
,共6页
王飞尧%孙新利%饶伟星%何国君%王伟棱
王飛堯%孫新利%饒偉星%何國君%王偉稜
왕비요%손신리%요위성%하국군%왕위릉
小角晶界%过冷度%硅单晶%重掺硼%掺杂浓度
小角晶界%過冷度%硅單晶%重摻硼%摻雜濃度
소각정계%과랭도%규단정%중참붕%참잡농도
小角晶界是Si单晶中的严重缺陷,生产中需要极力避免.对于重掺B直拉<111>Si单晶,当掺杂浓度接近固溶度时就容易产生小角晶界.对直拉Si单晶中小角晶界产生的原因进行梳理及深入分析,在理论上提出减少过冷度来减少小角晶界缺陷的方法.分剐采用增加加热器功率减小过冷度及降低埚位减少过冷度的两种工艺方法,成功实现生长无小角晶界重掺B<111>Si单晶.通过生产中实际晶体生长情况对比分析发现,低埚位生长无小角晶界的重掺B直拉<111>Si单晶工艺更具备生产优势.
小角晶界是Si單晶中的嚴重缺陷,生產中需要極力避免.對于重摻B直拉<111>Si單晶,噹摻雜濃度接近固溶度時就容易產生小角晶界.對直拉Si單晶中小角晶界產生的原因進行梳理及深入分析,在理論上提齣減少過冷度來減少小角晶界缺陷的方法.分剮採用增加加熱器功率減小過冷度及降低堝位減少過冷度的兩種工藝方法,成功實現生長無小角晶界重摻B<111>Si單晶.通過生產中實際晶體生長情況對比分析髮現,低堝位生長無小角晶界的重摻B直拉<111>Si單晶工藝更具備生產優勢.
소각정계시Si단정중적엄중결함,생산중수요겁력피면.대우중참B직랍<111>Si단정,당참잡농도접근고용도시취용역산생소각정계.대직랍Si단정중소각정계산생적원인진행소리급심입분석,재이론상제출감소과랭도래감소소각정계결함적방법.분과채용증가가열기공솔감소과랭도급강저과위감소과랭도적량충공예방법,성공실현생장무소각정계중참B<111>Si단정.통과생산중실제정체생장정황대비분석발현,저과위생장무소각정계적중참B직랍<111>Si단정공예경구비생산우세.
