微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
12期
761-766
,共6页
石墨烯%石墨烯/Si晶体管%制备方法%电学特性%磁学特性
石墨烯%石墨烯/Si晶體管%製備方法%電學特性%磁學特性
석묵희%석묵희/Si정체관%제비방법%전학특성%자학특성
石墨烯具有很多优异的力学、电学和结构特性,可用于制备高速、低功耗的半导体电子器件和集成电路芯片.简要介绍了三种石墨烯/Si的制备方法,即剥离法、外延法、剪切和选择转移印刷法,其中外延生长的石墨烯被认为是最终实现碳集成电路的唯一途径.并给出了采用上述方法制备的石墨烯/Si晶体管的电阻、磁阻、载流子迁移和输运特性以及量子霍尔效应(QHE)等电学特性.发现石墨烯/Si晶体管最高频率达155 GHz,在室温下具有异常的量子霍尔效应和分数量子霍尔效应.其电荷载流子浓度在电子和空穴之间连续变化,可高达1013 cm-2,迁移率可达2×105 cm2/(V·s).
石墨烯具有很多優異的力學、電學和結構特性,可用于製備高速、低功耗的半導體電子器件和集成電路芯片.簡要介紹瞭三種石墨烯/Si的製備方法,即剝離法、外延法、剪切和選擇轉移印刷法,其中外延生長的石墨烯被認為是最終實現碳集成電路的唯一途徑.併給齣瞭採用上述方法製備的石墨烯/Si晶體管的電阻、磁阻、載流子遷移和輸運特性以及量子霍爾效應(QHE)等電學特性.髮現石墨烯/Si晶體管最高頻率達155 GHz,在室溫下具有異常的量子霍爾效應和分數量子霍爾效應.其電荷載流子濃度在電子和空穴之間連續變化,可高達1013 cm-2,遷移率可達2×105 cm2/(V·s).
석묵희구유흔다우이적역학、전학화결구특성,가용우제비고속、저공모적반도체전자기건화집성전로심편.간요개소료삼충석묵희/Si적제비방법,즉박리법、외연법、전절화선택전이인쇄법,기중외연생장적석묵희피인위시최종실현탄집성전로적유일도경.병급출료채용상술방법제비적석묵희/Si정체관적전조、자조、재류자천이화수운특성이급양자곽이효응(QHE)등전학특성.발현석묵희/Si정체관최고빈솔체155 GHz,재실온하구유이상적양자곽이효응화분수양자곽이효응.기전하재류자농도재전자화공혈지간련속변화,가고체1013 cm-2,천이솔가체2×105 cm2/(V·s).
