半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
12期
1735-1738
,共4页
施卫%张显斌%贾婉丽%李孟霞%许景周%张希成
施衛%張顯斌%賈婉麗%李孟霞%許景週%張希成
시위%장현빈%가완려%리맹하%허경주%장희성
GaAs光电导偶极天线%太赫兹电磁波%皮秒电脉冲
GaAs光電導偶極天線%太赫玆電磁波%皮秒電脈遲
GaAs광전도우겁천선%태혁자전자파%피초전맥충
报道了用半绝缘GaAs材料研制的光电导偶极天线在飞秒激光脉冲触发下辐射THz电磁波的实验结果.GaAs光电导偶极芯片的两个欧姆接触电极间隙为3mm,采用Si3N4薄膜绝缘保护,在540V直流偏置下被波长800nm,脉宽14fs,重复频率75MHz,平均功率130mW的飞秒激光脉冲触发时产生THz电磁波.用电光取样测量得到了THz电磁脉冲的时域波形和频谱分布.THz电磁波的辐射峰值位于0.5THz左右,频谱宽度大于2THz,脉冲宽度约为1ps.
報道瞭用半絕緣GaAs材料研製的光電導偶極天線在飛秒激光脈遲觸髮下輻射THz電磁波的實驗結果.GaAs光電導偶極芯片的兩箇歐姆接觸電極間隙為3mm,採用Si3N4薄膜絕緣保護,在540V直流偏置下被波長800nm,脈寬14fs,重複頻率75MHz,平均功率130mW的飛秒激光脈遲觸髮時產生THz電磁波.用電光取樣測量得到瞭THz電磁脈遲的時域波形和頻譜分佈.THz電磁波的輻射峰值位于0.5THz左右,頻譜寬度大于2THz,脈遲寬度約為1ps.
보도료용반절연GaAs재료연제적광전도우겁천선재비초격광맥충촉발하복사THz전자파적실험결과.GaAs광전도우겁심편적량개구모접촉전겁간극위3mm,채용Si3N4박막절연보호,재540V직류편치하피파장800nm,맥관14fs,중복빈솔75MHz,평균공솔130mW적비초격광맥충촉발시산생THz전자파.용전광취양측량득도료THz전자맥충적시역파형화빈보분포.THz전자파적복사봉치위우0.5THz좌우,빈보관도대우2THz,맥충관도약위1ps.
