科学技术与工程
科學技術與工程
과학기술여공정
SCIENCE TECHNOLOGY AND ENGINEERING
2006年
17期
2728-2732
,共5页
柴花斗%杨晓辉%富笑男%李新建
柴花鬥%楊曉輝%富笑男%李新建
시화두%양효휘%부소남%리신건
硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)%Cu/Si-NPA纳米复合体系%Ostwald成熟理论%团簇扩散理论
硅納米孔柱陣列(Si-NPA)%Cu/Si-NPA納米複閤體繫%Ostwald成熟理論%糰簇擴散理論
규납미공주진렬(Si-NPA)%Cu/Si-NPA납미복합체계%Ostwald성숙이론%단족확산이론
以具有规则表面形貌的硅纳米孔柱阵列(Silicon Nanoporous Pillar Array,Si-NPA)作为还原性衬底和组装模板,采用浸渍技术制备了铜/Si-NPA(Cu/Si-NPA)纳米复合体系.将新鲜制备的Cu/Si-NPA样品分别在400℃、600℃和800℃氮气气氛中退火,对比研究了沉积于Si-NPA衬底之上的铜纳米颗粒的表面形貌、晶粒尺寸随温度的演化规律.在较低、较高温度下退火时,铜纳米颗粒所发生的定向迁移、颗粒长大及中心凝聚现象分别在Ostwald成熟理论和团簇扩散理论的框架下得到了解释.
以具有規則錶麵形貌的硅納米孔柱陣列(Silicon Nanoporous Pillar Array,Si-NPA)作為還原性襯底和組裝模闆,採用浸漬技術製備瞭銅/Si-NPA(Cu/Si-NPA)納米複閤體繫.將新鮮製備的Cu/Si-NPA樣品分彆在400℃、600℃和800℃氮氣氣氛中退火,對比研究瞭沉積于Si-NPA襯底之上的銅納米顆粒的錶麵形貌、晶粒呎吋隨溫度的縯化規律.在較低、較高溫度下退火時,銅納米顆粒所髮生的定嚮遷移、顆粒長大及中心凝聚現象分彆在Ostwald成熟理論和糰簇擴散理論的框架下得到瞭解釋.
이구유규칙표면형모적규납미공주진렬(Silicon Nanoporous Pillar Array,Si-NPA)작위환원성츤저화조장모판,채용침지기술제비료동/Si-NPA(Cu/Si-NPA)납미복합체계.장신선제비적Cu/Si-NPA양품분별재400℃、600℃화800℃담기기분중퇴화,대비연구료침적우Si-NPA츤저지상적동납미과립적표면형모、정립척촌수온도적연화규률.재교저、교고온도하퇴화시,동납미과립소발생적정향천이、과립장대급중심응취현상분별재Ostwald성숙이론화단족확산이론적광가하득도료해석.
