功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2007年
10期
1590-1593,1596
,共5页
金石声%朱林山%苟富均%谢泉
金石聲%硃林山%茍富均%謝泉
금석성%주림산%구부균%사천
蒙特卡诺%模拟%SiC
矇特卡諾%模擬%SiC
몽특잡낙%모의%SiC
应用蒙特卡诺程序SRIM对He+、Ar+、Xe+轰击SiC的微观过程进行了模拟.对不同能量(100～500eV)以及不同角度(0～85°)下He+、Ar+、Xe+轰击SiC引起的溅射率、溅射原子分布、溅射原子能量以及入射离子在SiC中的分布情况进行了分析比较.结果表明对于原子量较小的He+入射SiC所引起的溅射主要是由进入表面之下的背散射离子产生的碰撞级联造成的,溅射原子具有较高的能量;对于原子量较大的Ar+、Xe+入射所引起的溅射主要是由进入SiC内部的离子直接产生的碰撞级联产生,溅射原子的能量相对较低.随着离子入射角度的逐渐增加,SiC的溅射率逐渐增加,在70°左右达到溅射峰值,随着入射角度的继续增加,入射离子的背散射不能使碰撞级联充分扩大,反冲原子的生成效率急剧降低,导致溅射率开始急剧下降.
應用矇特卡諾程序SRIM對He+、Ar+、Xe+轟擊SiC的微觀過程進行瞭模擬.對不同能量(100～500eV)以及不同角度(0～85°)下He+、Ar+、Xe+轟擊SiC引起的濺射率、濺射原子分佈、濺射原子能量以及入射離子在SiC中的分佈情況進行瞭分析比較.結果錶明對于原子量較小的He+入射SiC所引起的濺射主要是由進入錶麵之下的揹散射離子產生的踫撞級聯造成的,濺射原子具有較高的能量;對于原子量較大的Ar+、Xe+入射所引起的濺射主要是由進入SiC內部的離子直接產生的踫撞級聯產生,濺射原子的能量相對較低.隨著離子入射角度的逐漸增加,SiC的濺射率逐漸增加,在70°左右達到濺射峰值,隨著入射角度的繼續增加,入射離子的揹散射不能使踫撞級聯充分擴大,反遲原子的生成效率急劇降低,導緻濺射率開始急劇下降.
응용몽특잡낙정서SRIM대He+、Ar+、Xe+굉격SiC적미관과정진행료모의.대불동능량(100～500eV)이급불동각도(0～85°)하He+、Ar+、Xe+굉격SiC인기적천사솔、천사원자분포、천사원자능량이급입사리자재SiC중적분포정황진행료분석비교.결과표명대우원자량교소적He+입사SiC소인기적천사주요시유진입표면지하적배산사리자산생적팽당급련조성적,천사원자구유교고적능량;대우원자량교대적Ar+、Xe+입사소인기적천사주요시유진입SiC내부적리자직접산생적팽당급련산생,천사원자적능량상대교저.수착리자입사각도적축점증가,SiC적천사솔축점증가,재70°좌우체도천사봉치,수착입사각도적계속증가,입사리자적배산사불능사팽당급련충분확대,반충원자적생성효솔급극강저,도치천사솔개시급극하강.
