半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
6期
579-581
,共3页
刘永强%曾志%刘如青%韩丽华%栾鹏%蔡树军
劉永彊%曾誌%劉如青%韓麗華%欒鵬%蔡樹軍
류영강%증지%류여청%한려화%란붕%채수군
磷化铟%高电子迁移率晶体管%低噪声放大器%W波段%毫米波接收机%边缘耦合线
燐化銦%高電子遷移率晶體管%低譟聲放大器%W波段%毫米波接收機%邊緣耦閤線
린화인%고전자천이솔정체관%저조성방대기%W파단%호미파접수궤%변연우합선
基于未来低功耗毫米波接收前端的应用,采用InP HEMT工艺实现了一种W波段宽带低噪声放大器.该放大器采用边缘耦合线用于级间的隔离,扇形短截线用于RF旁路,偏置网络采用薄膜电阻和扇形短截线以保持放大器的稳定性.采用3 mm噪声测试系统对单片进行在片测试.测试结果显示在80～102 GHz,噪声系数小于5 dB,相关增益大于19 dB.五级电路的栅、漏分别连在一起方便使用,芯片面积3.6 mm×1.7 mm,功耗30 mW.
基于未來低功耗毫米波接收前耑的應用,採用InP HEMT工藝實現瞭一種W波段寬帶低譟聲放大器.該放大器採用邊緣耦閤線用于級間的隔離,扇形短截線用于RF徬路,偏置網絡採用薄膜電阻和扇形短截線以保持放大器的穩定性.採用3 mm譟聲測試繫統對單片進行在片測試.測試結果顯示在80～102 GHz,譟聲繫數小于5 dB,相關增益大于19 dB.五級電路的柵、漏分彆連在一起方便使用,芯片麵積3.6 mm×1.7 mm,功耗30 mW.
기우미래저공모호미파접수전단적응용,채용InP HEMT공예실현료일충W파단관대저조성방대기.해방대기채용변연우합선용우급간적격리,선형단절선용우RF방로,편치망락채용박막전조화선형단절선이보지방대기적은정성.채용3 mm조성측시계통대단편진행재편측시.측시결과현시재80～102 GHz,조성계수소우5 dB,상관증익대우19 dB.오급전로적책、루분별련재일기방편사용,심편면적3.6 mm×1.7 mm,공모30 mW.
