微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
11期
749-752
,共4页
王娜%刘玉岭%孙鸣%杨立兵%高净%刘利宾
王娜%劉玉嶺%孫鳴%楊立兵%高淨%劉利賓
왕나%류옥령%손명%양립병%고정%류리빈
硅单晶片%有机胺碱%抛光液%抛光速率%表面粗糙度
硅單晶片%有機胺堿%拋光液%拋光速率%錶麵粗糙度
규단정편%유궤알감%포광액%포광속솔%표면조조도
硅单晶抛光片是极大规模集成电路应用最广泛的衬底材料,抛光液为影响硅单晶片抛光最关键的因素.通过改变抛光液中有机胺碱配比来调节抛光液的pH值.实验结果表明:随着有机胺碱比例的不断增加,pH值随之上升,硅片的去除速率(material removal rate,MRR)先增大后减小.pH值在10.5左右时去除速率达到最大值(1 706 nm/min).此时用Agilent 5600LS型原子力显微镜测得硅片表面的粗糙度为0.369 nm.并用马尔文Zetasizer 3000HSA纳米粒度分析仪测定不同有机胺碱浓度下的抛光液中水溶胶磨粒粒径变化.通过对实验后晶片表面进行检测并结合去除速率综合考虑,抛光液pH值宜选择为10.5左右.抛光速率在pH值为10.3～10.6比较稳定.
硅單晶拋光片是極大規模集成電路應用最廣汎的襯底材料,拋光液為影響硅單晶片拋光最關鍵的因素.通過改變拋光液中有機胺堿配比來調節拋光液的pH值.實驗結果錶明:隨著有機胺堿比例的不斷增加,pH值隨之上升,硅片的去除速率(material removal rate,MRR)先增大後減小.pH值在10.5左右時去除速率達到最大值(1 706 nm/min).此時用Agilent 5600LS型原子力顯微鏡測得硅片錶麵的粗糙度為0.369 nm.併用馬爾文Zetasizer 3000HSA納米粒度分析儀測定不同有機胺堿濃度下的拋光液中水溶膠磨粒粒徑變化.通過對實驗後晶片錶麵進行檢測併結閤去除速率綜閤攷慮,拋光液pH值宜選擇為10.5左右.拋光速率在pH值為10.3～10.6比較穩定.
규단정포광편시겁대규모집성전로응용최엄범적츤저재료,포광액위영향규단정편포광최관건적인소.통과개변포광액중유궤알감배비래조절포광액적pH치.실험결과표명:수착유궤알감비례적불단증가,pH치수지상승,규편적거제속솔(material removal rate,MRR)선증대후감소.pH치재10.5좌우시거제속솔체도최대치(1 706 nm/min).차시용Agilent 5600LS형원자력현미경측득규편표면적조조도위0.369 nm.병용마이문Zetasizer 3000HSA납미립도분석의측정불동유궤알감농도하적포광액중수용효마립립경변화.통과대실험후정편표면진행검측병결합거제속솔종합고필,포광액pH치의선택위10.5좌우.포광속솔재pH치위10.3～10.6비교은정.
