发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2012年
6期
665-668
,共4页
朱顺明%黄时敏%顾书林%朱振邦%顾然%郑有炓
硃順明%黃時敏%顧書林%硃振邦%顧然%鄭有炓
주순명%황시민%고서림%주진방%고연%정유료
ZnO%MOCVD%氧源%t-BuOH
ZnO%MOCVD%氧源%t-BuOH
ZnO%MOCVD%양원%t-BuOH
以活性较低的叔丁醇( t-BuOH)和水(H2O)作为氧源,采用MOCVD技术生长了ZnO薄膜.研究发现,t-BuOH作为氧源可以有效地抑制其与锌源之间的气相预反应,比H2O作为氧源进行ZnO薄膜的外延生长具有更高的生长速率,得到的ZnO薄膜晶体质量更优,同时载流子的迁移率可以达到37.0 cm2·V-1·s-1,表明t-BuOH更适合作为氧源通过MOCVD系统生长ZnO薄膜.
以活性較低的叔丁醇( t-BuOH)和水(H2O)作為氧源,採用MOCVD技術生長瞭ZnO薄膜.研究髮現,t-BuOH作為氧源可以有效地抑製其與鋅源之間的氣相預反應,比H2O作為氧源進行ZnO薄膜的外延生長具有更高的生長速率,得到的ZnO薄膜晶體質量更優,同時載流子的遷移率可以達到37.0 cm2·V-1·s-1,錶明t-BuOH更適閤作為氧源通過MOCVD繫統生長ZnO薄膜.
이활성교저적숙정순( t-BuOH)화수(H2O)작위양원,채용MOCVD기술생장료ZnO박막.연구발현,t-BuOH작위양원가이유효지억제기여자원지간적기상예반응,비H2O작위양원진행ZnO박막적외연생장구유경고적생장속솔,득도적ZnO박막정체질량경우,동시재류자적천이솔가이체도37.0 cm2·V-1·s-1,표명t-BuOH경괄합작위양원통과MOCVD계통생장ZnO박막.
