催化剂辅助化学气相沉积法制备准单晶ZnO纳米线
최화제보조화학기상침적법제비준단정ZnO납미선
Synthesis of ZnO Nanowires by Catalysts Assistant Chemical Vapor Deposition Method
  • 万方数据
    半导体光电 반도체광전
    SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
    2005年 3期 216-218,222 ,共4页

    孙小松%余洲%王帅%杨治美%晋勇%何毅%杨文彬%龚敏

    손소송%여주%왕수%양치미%진용%하의%양문빈%공민

    ZnO纳米线%化学气相沉积%催化辅助生长技术%定向生长%XRD%SEM ZnO納米線%化學氣相沉積%催化輔助生長技術%定嚮生長%XRD%SEM
    ZnO납미선%화학기상침적%최화보조생장기술%정향생장%XRD%SEM
    利用Au催化辅助化学气相沉积生长技术,在n-Si(111)衬底上制备了准单晶的ZnO纳米线.X射线衍射分析的结果表明, ZnO纳米线具有明显的沿(0001)方向定向生长的特征.扫描电子显微镜分析表明,ZnO纳米线的典型直径约为100 nm,长度为2～5 μm.讨论了Au催化辅助化学气相沉积生长技术制备ZnO纳米线的原理.
    이용Au최화보조화학기상침적생장기술,재n-Si(111)츤저상제비료준단정적ZnO납미선.X사선연사분석적결과표명, ZnO납미선구유명현적연(0001)방향정향생장적특정.소묘전자현미경분석표명,ZnO납미선적전형직경약위100 nm,장도위2～5 μm.토론료Au최화보조화학기상침적생장기술제비ZnO납미선적원리.
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