激光与红外
激光與紅外
격광여홍외
LASER & INFRARED
2005年
11期
842-844
,共3页
徐庆庆%陈新强%魏彦锋%曹妩媚%赵守仁%杨建荣
徐慶慶%陳新彊%魏彥鋒%曹嫵媚%趙守仁%楊建榮
서경경%진신강%위언봉%조무미%조수인%양건영
CdZnTe衬底%HgCdTe薄膜材料%液相外延
CdZnTe襯底%HgCdTe薄膜材料%液相外延
CdZnTe츤저%HgCdTe박막재료%액상외연
文中对(211)晶向的CdZnTe衬底进行液相外延生长HgCdTe.获得的碲镉汞液相外延材料的组分为0.30～0.33,薄膜厚度为10～15μm,表面缺陷密度为500cm-2,材料的FWHM达到24弧秒,位错腐蚀坑密度约为2×105cm-2,该材料的表面形貌与采用(111)晶向衬底的HgCdTe外延材料有较大区别.
文中對(211)晶嚮的CdZnTe襯底進行液相外延生長HgCdTe.穫得的碲鎘汞液相外延材料的組分為0.30～0.33,薄膜厚度為10～15μm,錶麵缺陷密度為500cm-2,材料的FWHM達到24弧秒,位錯腐蝕坑密度約為2×105cm-2,該材料的錶麵形貌與採用(111)晶嚮襯底的HgCdTe外延材料有較大區彆.
문중대(211)정향적CdZnTe츤저진행액상외연생장HgCdTe.획득적제력홍액상외연재료적조분위0.30～0.33,박막후도위10～15μm,표면결함밀도위500cm-2,재료적FWHM체도24호초,위착부식갱밀도약위2×105cm-2,해재료적표면형모여채용(111)정향츤저적HgCdTe외연재료유교대구별.
