高等学校化学学报
高等學校化學學報
고등학교화학학보
CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES
2006年
9期
1695-1698
,共4页
密度泛函理论%过渡态%反应机理%速率常数
密度汎函理論%過渡態%反應機理%速率常數
밀도범함이론%과도태%반응궤리%속솔상수
采用密度泛函理论计算方法, 在B3LYP/6-311G*水平下, 计算并得到了SiHCl3与H2反应各反应通道上各驻点的构型、振动频率和能量. 结果表明, 在气相中SiHCl3分解的通道d和SiHCl3与H2反应的通道c为竞争反应, 但其均未还原出Si原子, 只有衬底Si参与SiHCl3-H2的反应, Si原子才淀积在Si衬底上.
採用密度汎函理論計算方法, 在B3LYP/6-311G*水平下, 計算併得到瞭SiHCl3與H2反應各反應通道上各駐點的構型、振動頻率和能量. 結果錶明, 在氣相中SiHCl3分解的通道d和SiHCl3與H2反應的通道c為競爭反應, 但其均未還原齣Si原子, 隻有襯底Si參與SiHCl3-H2的反應, Si原子纔澱積在Si襯底上.
채용밀도범함이론계산방법, 재B3LYP/6-311G*수평하, 계산병득도료SiHCl3여H2반응각반응통도상각주점적구형、진동빈솔화능량. 결과표명, 재기상중SiHCl3분해적통도d화SiHCl3여H2반응적통도c위경쟁반응, 단기균미환원출Si원자, 지유츤저Si삼여SiHCl3-H2적반응, Si원자재정적재Si츤저상.
