现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2006年
16期
120-122,125
,共4页
钟昌贤%张波%周浩%卢杨
鐘昌賢%張波%週浩%盧楊
종창현%장파%주호%로양
CMOS%衬底驱动%低压%曲率补偿%电压基准源
CMOS%襯底驅動%低壓%麯率補償%電壓基準源
CMOS%츤저구동%저압%곡솔보상%전압기준원
基于传统CMOS带隙电压基准源电路的分析,结合曲率补偿技术设计了一种带衬底驱动运算放大器的低电源电压的电压基准源电路,主体电路采用电流模式基准源结构,并结合所采用的衬底驱动运放作为基准源的负反馈运放.整个电路采用0.5 μm标准CMOS工艺实现,在电源电压1.2 V的条件下用HSpice进行仿真,仿真结果表明输出基准电压在-40～120 ℃范围内温度系数为9 ppm/℃.
基于傳統CMOS帶隙電壓基準源電路的分析,結閤麯率補償技術設計瞭一種帶襯底驅動運算放大器的低電源電壓的電壓基準源電路,主體電路採用電流模式基準源結構,併結閤所採用的襯底驅動運放作為基準源的負反饋運放.整箇電路採用0.5 μm標準CMOS工藝實現,在電源電壓1.2 V的條件下用HSpice進行倣真,倣真結果錶明輸齣基準電壓在-40～120 ℃範圍內溫度繫數為9 ppm/℃.
기우전통CMOS대극전압기준원전로적분석,결합곡솔보상기술설계료일충대츤저구동운산방대기적저전원전압적전압기준원전로,주체전로채용전류모식기준원결구,병결합소채용적츤저구동운방작위기준원적부반궤운방.정개전로채용0.5 μm표준CMOS공예실현,재전원전압1.2 V적조건하용HSpice진행방진,방진결과표명수출기준전압재-40～120 ℃범위내온도계수위9 ppm/℃.
