半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
4期
333-336
,共4页
无液封%砷化镓多晶%合成%坩埚密封%石墨系统
無液封%砷化鎵多晶%閤成%坩堝密封%石墨繫統
무액봉%신화가다정%합성%감과밀봉%석묵계통
利用As、Ga、GaAs的性质,开发出一种新的GaAs多晶合成方法.开展了φ130 mm合成系统的温度、压力优化实验.采用石墨盖代替BN坩埚盖,开发了100 mm新合成石墨系统,通过工艺实验确定加热电流、温度、压力随时间的变化,稳定了φ100 mm无液封GaAs多晶合成工艺.通过大量的实验,逐渐确定了两套无液封GaAs多晶合成的温度压力曲线,固化了坩埚密封结构,掌握了调节GaAs多晶料中化学计量比的方法.
利用As、Ga、GaAs的性質,開髮齣一種新的GaAs多晶閤成方法.開展瞭φ130 mm閤成繫統的溫度、壓力優化實驗.採用石墨蓋代替BN坩堝蓋,開髮瞭100 mm新閤成石墨繫統,通過工藝實驗確定加熱電流、溫度、壓力隨時間的變化,穩定瞭φ100 mm無液封GaAs多晶閤成工藝.通過大量的實驗,逐漸確定瞭兩套無液封GaAs多晶閤成的溫度壓力麯線,固化瞭坩堝密封結構,掌握瞭調節GaAs多晶料中化學計量比的方法.
이용As、Ga、GaAs적성질,개발출일충신적GaAs다정합성방법.개전료φ130 mm합성계통적온도、압력우화실험.채용석묵개대체BN감과개,개발료100 mm신합성석묵계통,통과공예실험학정가열전류、온도、압력수시간적변화,은정료φ100 mm무액봉GaAs다정합성공예.통과대량적실험,축점학정료량투무액봉GaAs다정합성적온도압력곡선,고화료감과밀봉결구,장악료조절GaAs다정료중화학계량비적방법.
