稀有金属
稀有金屬
희유금속
CHINESE JOURNAL OF RARE METALS
2010年
3期
383-388
,共6页
杨发强%屈飞%古宏伟%李弢%王磊
楊髮彊%屈飛%古宏偉%李弢%王磊
양발강%굴비%고굉위%리도%왕뢰
ZnO:Al%射频磁控溅射%Cu(In,Ga)Se2
ZnO:Al%射頻磁控濺射%Cu(In,Ga)Se2
ZnO:Al%사빈자공천사%Cu(In,Ga)Se2
用射频磁控溅射氧化锌掺铝陶瓷靶的方法在玻璃衬底上制备了ZnO:Al薄膜.研究了衬底温度(Ts)、靶基距(Dt-s)对薄膜结构及光电性能的影响.实验结果显示:Ts在室温至300℃、Dt-s在35～60mm范围内时,薄膜为六方相结构,并具有C轴取向,可见光范围平均透光率大于88%.Ts及Dt-s对薄膜电学性能的影响相似,随Ts升高或Dt-s增大,ZnO:Al薄膜的电阻率先减小后增大,霍尔迁移率先增大后减小,载流子浓度逐渐减小.在Ts为150℃,Dt-s为40 mm时,可获得最低电阻率4.18×10-4 Ω·cm的ZnO:Al薄膜,其载流子浓度为8.13×1020 cm-3、霍尔迁移率为18 cm2·V-1·s-1,可见光范围平均透过率为89%.
用射頻磁控濺射氧化鋅摻鋁陶瓷靶的方法在玻璃襯底上製備瞭ZnO:Al薄膜.研究瞭襯底溫度(Ts)、靶基距(Dt-s)對薄膜結構及光電性能的影響.實驗結果顯示:Ts在室溫至300℃、Dt-s在35～60mm範圍內時,薄膜為六方相結構,併具有C軸取嚮,可見光範圍平均透光率大于88%.Ts及Dt-s對薄膜電學性能的影響相似,隨Ts升高或Dt-s增大,ZnO:Al薄膜的電阻率先減小後增大,霍爾遷移率先增大後減小,載流子濃度逐漸減小.在Ts為150℃,Dt-s為40 mm時,可穫得最低電阻率4.18×10-4 Ω·cm的ZnO:Al薄膜,其載流子濃度為8.13×1020 cm-3、霍爾遷移率為18 cm2·V-1·s-1,可見光範圍平均透過率為89%.
용사빈자공천사양화자참려도자파적방법재파리츤저상제비료ZnO:Al박막.연구료츤저온도(Ts)、파기거(Dt-s)대박막결구급광전성능적영향.실험결과현시:Ts재실온지300℃、Dt-s재35～60mm범위내시,박막위륙방상결구,병구유C축취향,가견광범위평균투광솔대우88%.Ts급Dt-s대박막전학성능적영향상사,수Ts승고혹Dt-s증대,ZnO:Al박막적전조솔선감소후증대,곽이천이솔선증대후감소,재류자농도축점감소.재Ts위150℃,Dt-s위40 mm시,가획득최저전조솔4.18×10-4 Ω·cm적ZnO:Al박막,기재류자농도위8.13×1020 cm-3、곽이천이솔위18 cm2·V-1·s-1,가견광범위평균투과솔위89%.
