固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2003年
2期
229-235
,共7页
磁隧道结%磁存储器%磁阻率%磁化
磁隧道結%磁存儲器%磁阻率%磁化
자수도결%자존저기%자조솔%자화
对MTJ(磁隧道结)的GMR(巨磁阻)效应进行了分析.MTJ的结构、形态和工作条件会对GMR效应产生不同的影响.提出了一种4× 1位MTJ MRAM(磁存储器)的电路结构,每个MRAM的存储单元由一个MTJ和一个MOSFET构成, 用MTJ两磁极磁化方向的相对取向表示所存储的数据,数字线和位线电流产生磁场的共同作用可完成MRAM数据的写入.
對MTJ(磁隧道結)的GMR(巨磁阻)效應進行瞭分析.MTJ的結構、形態和工作條件會對GMR效應產生不同的影響.提齣瞭一種4× 1位MTJ MRAM(磁存儲器)的電路結構,每箇MRAM的存儲單元由一箇MTJ和一箇MOSFET構成, 用MTJ兩磁極磁化方嚮的相對取嚮錶示所存儲的數據,數字線和位線電流產生磁場的共同作用可完成MRAM數據的寫入.
대MTJ(자수도결)적GMR(거자조)효응진행료분석.MTJ적결구、형태화공작조건회대GMR효응산생불동적영향.제출료일충4× 1위MTJ MRAM(자존저기)적전로결구,매개MRAM적존저단원유일개MTJ화일개MOSFET구성, 용MTJ량자겁자화방향적상대취향표시소존저적수거,수자선화위선전유산생자장적공동작용가완성MRAM수거적사입.
