光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2006年
3期
299-301
,共3页
田海涛%陆中宏%赵润%韩威%陈国鹰%花吉珍
田海濤%陸中宏%趙潤%韓威%陳國鷹%花吉珍
전해도%륙중굉%조윤%한위%진국응%화길진
传输矩阵%量子阱激光器(LD)%金属有机化合物气相淀积(MOCVD)
傳輸矩陣%量子阱激光器(LD)%金屬有機化閤物氣相澱積(MOCVD)
전수구진%양자정격광기(LD)%금속유궤화합물기상정적(MOCVD)
使用传输矩阵方法模拟光场特性,设计了带有模式扩展层的900 nm窄发散角量子阱激光器(LD),利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了器件.垂直方向远场发散角由常规结构LD的35°减小为20°,且阈值电流和光限制因子都没有明显变化.
使用傳輸矩陣方法模擬光場特性,設計瞭帶有模式擴展層的900 nm窄髮散角量子阱激光器(LD),利用金屬有機化閤物氣相澱積(MOCVD)技術生長瞭器件.垂直方嚮遠場髮散角由常規結構LD的35°減小為20°,且閾值電流和光限製因子都沒有明顯變化.
사용전수구진방법모의광장특성,설계료대유모식확전층적900 nm착발산각양자정격광기(LD),이용금속유궤화합물기상정적(MOCVD)기술생장료기건.수직방향원장발산각유상규결구LD적35°감소위20°,차역치전류화광한제인자도몰유명현변화.
