光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2006年
5期
558-563
,共6页
SiC薄膜%磁控溅射%工艺参数%光致发光
SiC薄膜%磁控濺射%工藝參數%光緻髮光
SiC박막%자공천사%공예삼수%광치발광
采用射频磁控溅射和后退火的方法在单晶Si(111)衬底上制备了SiC薄膜.采用红外吸收谱仪(FTIR)和X射线光电子谱仪(XPS)分析了薄膜的结构.采用分光光度计测量了SiC薄膜的发光性能.发现衬底加负偏压、适当增大溅射功率、降低工作气压均可以抑制SiO2和无定形碳的出现,有利于β-SiC的形成,同时增加SiC薄膜光致发光(PL)强度.
採用射頻磁控濺射和後退火的方法在單晶Si(111)襯底上製備瞭SiC薄膜.採用紅外吸收譜儀(FTIR)和X射線光電子譜儀(XPS)分析瞭薄膜的結構.採用分光光度計測量瞭SiC薄膜的髮光性能.髮現襯底加負偏壓、適噹增大濺射功率、降低工作氣壓均可以抑製SiO2和無定形碳的齣現,有利于β-SiC的形成,同時增加SiC薄膜光緻髮光(PL)彊度.
채용사빈자공천사화후퇴화적방법재단정Si(111)츤저상제비료SiC박막.채용홍외흡수보의(FTIR)화X사선광전자보의(XPS)분석료박막적결구.채용분광광도계측량료SiC박막적발광성능.발현츤저가부편압、괄당증대천사공솔、강저공작기압균가이억제SiO2화무정형탄적출현,유리우β-SiC적형성,동시증가SiC박막광치발광(PL)강도.
