物理学报
物理學報
물이학보
2006年
11期
6042-6046
,共5页
姚红英%顾晓%季敏%张笛儿%龚新高
姚紅英%顧曉%季敏%張笛兒%龔新高
요홍영%고효%계민%장적인%공신고
第一性原理%表面扩散%结合能%金属原子
第一性原理%錶麵擴散%結閤能%金屬原子
제일성원리%표면확산%결합능%금속원자
采用第一性原理方法研究了SiO2-羟基表面上几种金属原子的吸附性质,发现In和Ga在SiO2-羟基表面上的结合很弱,而Fe,Co,Ni在该表面上与Si,O形成强的化学键.等势能面和扩散势垒计算表明In(Ga)的扩散激活能只有0.1-0.3 eV,表明这两种原子容易在表面上扩散.这些结果可以定性地解释纳米合成中的一些实验现象.
採用第一性原理方法研究瞭SiO2-羥基錶麵上幾種金屬原子的吸附性質,髮現In和Ga在SiO2-羥基錶麵上的結閤很弱,而Fe,Co,Ni在該錶麵上與Si,O形成彊的化學鍵.等勢能麵和擴散勢壘計算錶明In(Ga)的擴散激活能隻有0.1-0.3 eV,錶明這兩種原子容易在錶麵上擴散.這些結果可以定性地解釋納米閤成中的一些實驗現象.
채용제일성원리방법연구료SiO2-간기표면상궤충금속원자적흡부성질,발현In화Ga재SiO2-간기표면상적결합흔약,이Fe,Co,Ni재해표면상여Si,O형성강적화학건.등세능면화확산세루계산표명In(Ga)적확산격활능지유0.1-0.3 eV,표명저량충원자용역재표면상확산.저사결과가이정성지해석납미합성중적일사실험현상.
