CAJ | 학술논문

利用Sol-gel法在p-Si(111)衬底上制备了LaNiO3底电极,再利用Sol-gel法在LaNiO3底电极上制备出Bi4Zr0.5Ti2.5O12(BZT)铁电薄膜,对其微观结构和电学性能进行了研究.利用X射线衍射仪、原子力显微镜和扫描电镜观测其微观结构,发现制备的BZT薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构,并且薄膜表面晶粒尺寸均匀,结晶情况良好.对Pt/BZT/LaNiO3电容结构进行了铁电性能研究,在测试电压为25 V时,2Pr和2Vc分别达到28.2 μC/cm2和14.7 V;经过1×1010次极化反转后,剩余极化值下降了大约13%;室温下,在测试频率1 kHz时,薄膜的介电常数为204,介电损耗为0.029;漏电流测试显示制备的BZT薄膜具有良好的绝缘性能;C-V曲线为顺时针方向回滞,存储窗口大约为3.0 V,C-V特性测试显示这种Pt/BZT/LaNiO3结构有望实现极化型存储.
이용Sol-gel법재p-Si(111)츤저상제비료LaNiO3저전겁,재이용Sol-gel법재LaNiO3저전겁상제비출Bi4Zr0.5Ti2.5O12(BZT)철전박막,대기미관결구화전학성능진행료연구.이용X사선연사의、원자력현미경화소묘전경관측기미관결구,발현제비적BZT박막구유단일적개태광정격결구,병차박막표면정립척촌균균,결정정황량호.대Pt/BZT/LaNiO3전용결구진행료철전성능연구,재측시전압위25 V시,2Pr화2Vc분별체도28.2 μC/cm2화14.7 V;경과1×1010차겁화반전후,잉여겁화치하강료대약13%;실온하,재측시빈솔1 kHz시,박막적개전상수위204,개전손모위0.029;루전류측시현시제비적BZT박막구유량호적절연성능;C-V곡선위순시침방향회체,존저창구대약위3.0 V,C-V특성측시현시저충Pt/BZT/LaNiO3결구유망실현겁화형존저.