半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2008年
4期
471-474
,共4页
曹永盛%尹霄丽%忻向军%余重秀
曹永盛%尹霄麗%忻嚮軍%餘重秀
조영성%윤소려%흔향군%여중수
对称自电光效应器件%光开关%电压-时间特性%性能仿真
對稱自電光效應器件%光開關%電壓-時間特性%性能倣真
대칭자전광효응기건%광개관%전압-시간특성%성능방진
介绍了对称自电光效应器件(S-SEED)的基本结构,通过等效纯电容模型对其结构进行了分析,采用直线法和N段折线法近似得出了S-SEED的电压-时间(V-t)特性表达式.在不同分析方法下利用MATLAB对其性能进行了仿真和分析,比较了S-SEED的开关性能,结果表明采用直线法所达到的时间精度可以满足实际需要;对S-SEED在不同入射功率和入射光强比下的开关性能进行了比较,发现与增大入射功率相比,增大入射光强比能更有效地提高器件性能.
介紹瞭對稱自電光效應器件(S-SEED)的基本結構,通過等效純電容模型對其結構進行瞭分析,採用直線法和N段摺線法近似得齣瞭S-SEED的電壓-時間(V-t)特性錶達式.在不同分析方法下利用MATLAB對其性能進行瞭倣真和分析,比較瞭S-SEED的開關性能,結果錶明採用直線法所達到的時間精度可以滿足實際需要;對S-SEED在不同入射功率和入射光彊比下的開關性能進行瞭比較,髮現與增大入射功率相比,增大入射光彊比能更有效地提高器件性能.
개소료대칭자전광효응기건(S-SEED)적기본결구,통과등효순전용모형대기결구진행료분석,채용직선법화N단절선법근사득출료S-SEED적전압-시간(V-t)특성표체식.재불동분석방법하이용MATLAB대기성능진행료방진화분석,비교료S-SEED적개관성능,결과표명채용직선법소체도적시간정도가이만족실제수요;대S-SEED재불동입사공솔화입사광강비하적개관성능진행료비교,발현여증대입사공솔상비,증대입사광강비능경유효지제고기건성능.
