微通道板SiO2防离子反馈膜技术研究
미통도판SiO2방리자반궤막기술연구
Technology Investigation on SiO2 Ion Barrier Film of Microchannel Plate
  • 万方数据
    电子学报 전자학보
    ACTA ELECTRONICA SINICA
    2008年 12期 2400-2404 ,共5页

    李野%姜德龙%向嵘%付申成%王国政%吴奎%王新%端木庆铎%富丽晨%田景全

    리야%강덕룡%향영%부신성%왕국정%오규%왕신%단목경탁%부려신%전경전

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    本文利用射频磁控溅射方法,在微通道板输入面上成功地制备出二氧化硅防离子反馈膜.通过对二氧化硅防离子反馈膜的电子透过特性测试,给出了特性曲线.利用蒙特卡罗模拟方法对二氧化硅和三氧化二铝两种防离子反馈膜的电子透过和离子阻止能力进行了分析和比较,得出了二氧化硅薄膜比三氧化二铝薄膜对电子的透过特性稍好,而后者比前者对离子的阻止能力较优越的结论.
    본문이용사빈자공천사방법,재미통도판수입면상성공지제비출이양화규방리자반궤막.통과대이양화규방리자반궤막적전자투과특성측시,급출료특성곡선.이용몽특잡라모의방법대이양화규화삼양화이려량충방리자반궤막적전자투과화리자조지능력진행료분석화비교,득출료이양화규박막비삼양화이려박막대전자적투과특성초호,이후자비전자대리자적조지능력교우월적결론.
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