北京航空航天大学学报
北京航空航天大學學報
북경항공항천대학학보
2008年
12期
1402-1406
,共5页
镁合金%低电压氧化%氧化膜层%硅酸钠
鎂閤金%低電壓氧化%氧化膜層%硅痠鈉
미합금%저전압양화%양화막층%규산납
基于高电压下氧化成膜有可能对镁合金基材机械性能造成损伤.研究了在以硅酸钠为主要成分的电解液中,施加10～110 V交流电压对AZ91D镁合金表面进行电化学氧化的成膜过程.探讨了氧化电压、氧化时间等对膜层性能的影响规律,并且对所获得氧化膜层进行了微观分析.结果表明:在10V电压下氧化就能获得与70～110 V电压下耐腐蚀性相当的氧化膜层;而且在10V交流电压下获得的氧化膜层形成过程为颗粒状形式-连接成块状-完整的膜层-交错叠式生长等4个阶段.
基于高電壓下氧化成膜有可能對鎂閤金基材機械性能造成損傷.研究瞭在以硅痠鈉為主要成分的電解液中,施加10～110 V交流電壓對AZ91D鎂閤金錶麵進行電化學氧化的成膜過程.探討瞭氧化電壓、氧化時間等對膜層性能的影響規律,併且對所穫得氧化膜層進行瞭微觀分析.結果錶明:在10V電壓下氧化就能穫得與70～110 V電壓下耐腐蝕性相噹的氧化膜層;而且在10V交流電壓下穫得的氧化膜層形成過程為顆粒狀形式-連接成塊狀-完整的膜層-交錯疊式生長等4箇階段.
기우고전압하양화성막유가능대미합금기재궤계성능조성손상.연구료재이규산납위주요성분적전해액중,시가10～110 V교류전압대AZ91D미합금표면진행전화학양화적성막과정.탐토료양화전압、양화시간등대막층성능적영향규률,병차대소획득양화막층진행료미관분석.결과표명:재10V전압하양화취능획득여70～110 V전압하내부식성상당적양화막층;이차재10V교류전압하획득적양화막층형성과정위과립상형식-련접성괴상-완정적막층-교착첩식생장등4개계단.
