原子与分子物理学报
原子與分子物理學報
원자여분자물이학보
CHINESE JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS
2009年
1期
176-182
,共7页
王桂丽%王梅%赵冬秋%邱国莉%黄晓伟%李蕴才
王桂麗%王梅%趙鼕鞦%邱國莉%黃曉偉%李蘊纔
왕계려%왕매%조동추%구국리%황효위%리온재
CdTe%红移%密度泛函理论%Hg掺杂
CdTe%紅移%密度汎函理論%Hg摻雜
CdTe%홍이%밀도범함이론%Hg참잡
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,研究了闪锌矿CdTe及不同量Hg掺杂HgxCd1-xTe的电子结构,给出了相应的的能带结构、态密度、差分电荷分布及光吸收谱.计算结果表明,随着Hg掺杂含量的增加,体系禁带宽度逐渐变窄,并给出了禁带宽度变窄的微观机理.
採用基于密度汎函理論的第一性原理平麵波超軟贗勢方法,研究瞭閃鋅礦CdTe及不同量Hg摻雜HgxCd1-xTe的電子結構,給齣瞭相應的的能帶結構、態密度、差分電荷分佈及光吸收譜.計算結果錶明,隨著Hg摻雜含量的增加,體繫禁帶寬度逐漸變窄,併給齣瞭禁帶寬度變窄的微觀機理.
채용기우밀도범함이론적제일성원리평면파초연안세방법,연구료섬자광CdTe급불동량Hg참잡HgxCd1-xTe적전자결구,급출료상응적적능대결구、태밀도、차분전하분포급광흡수보.계산결과표명,수착Hg참잡함량적증가,체계금대관도축점변착,병급출료금대관도변착적미관궤리.
