韩山师范学院学报
韓山師範學院學報
한산사범학원학보
JOURNAL OF HANSHAN TEACHERS COLLEGE
2010年
3期
43-47
,共5页
双势垒结构%电荷存储%nc-Si%SiNx
雙勢壘結構%電荷存儲%nc-Si%SiNx
쌍세루결구%전하존저%nc-Si%SiNx
利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术,采用NH3等离子体预氮化法淀积α-SiNx介质膜,同时结合layer by layer生长nc-Si的方法一次性原位制备了α-SiNx/ncSi/α-SiNx双势垒结构样品.通过原子力显微镜(AFM)测量,估算了nc-Si的密度为1.2×1011cm-2.通过C-V测量研究镶嵌在SiNx双势垒层中的nc-Si颗粒的电荷存储现象.C-V曲线出现明显的廻滞现象,迥滞窗口约为1 V,表明结构中电荷存储特性.根据迥滞窗口,计算了结构中存储电荷的密度,发现存储电荷密度与nc-Si层的晶粒密度具有相同的数量级.
利用等離子增彊化學氣相沉積(PECVD)技術,採用NH3等離子體預氮化法澱積α-SiNx介質膜,同時結閤layer by layer生長nc-Si的方法一次性原位製備瞭α-SiNx/ncSi/α-SiNx雙勢壘結構樣品.通過原子力顯微鏡(AFM)測量,估算瞭nc-Si的密度為1.2×1011cm-2.通過C-V測量研究鑲嵌在SiNx雙勢壘層中的nc-Si顆粒的電荷存儲現象.C-V麯線齣現明顯的廻滯現象,迥滯窗口約為1 V,錶明結構中電荷存儲特性.根據迥滯窗口,計算瞭結構中存儲電荷的密度,髮現存儲電荷密度與nc-Si層的晶粒密度具有相同的數量級.
이용등리자증강화학기상침적(PECVD)기술,채용NH3등리자체예담화법정적α-SiNx개질막,동시결합layer by layer생장nc-Si적방법일차성원위제비료α-SiNx/ncSi/α-SiNx쌍세루결구양품.통과원자력현미경(AFM)측량,고산료nc-Si적밀도위1.2×1011cm-2.통과C-V측량연구양감재SiNx쌍세루층중적nc-Si과립적전하존저현상.C-V곡선출현명현적회체현상,형체창구약위1 V,표명결구중전하존저특성.근거형체창구,계산료결구중존저전하적밀도,발현존저전하밀도여nc-Si층적정립밀도구유상동적수량급.
