电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2010年
12期
12-15
,共4页
GaAs%热超声键合%LED
GaAs%熱超聲鍵閤%LED
GaAs%열초성건합%LED
砷化镓(GaAs)发光二极管LED芯片既可作为发光器件,也可作为光电显示器件,并以其低能耗高亮度的优势被广泛应用,然而由于GaAs材料在机械性能上的不足,使其很容易在组装过程中产生键合陷坑,并对大批量生产造成影响.文章通过对比分析GaAs与Si的机械特性以及GaAs发光二极管的键合特殊性,较为系统地阐述了GaAs发光二极管产生键合陷坑的原因,并针对超声能量、键合压力、载片台温度等键合参数对GaAs发光二极管产生键合陷坑的影响,进行了充分的单项试验,根据试验结果制定了减少GaAs发光二极管键合陷坑的键合方法,极大提高了GaAs发光二极管的键合可靠性.
砷化鎵(GaAs)髮光二極管LED芯片既可作為髮光器件,也可作為光電顯示器件,併以其低能耗高亮度的優勢被廣汎應用,然而由于GaAs材料在機械性能上的不足,使其很容易在組裝過程中產生鍵閤陷坑,併對大批量生產造成影響.文章通過對比分析GaAs與Si的機械特性以及GaAs髮光二極管的鍵閤特殊性,較為繫統地闡述瞭GaAs髮光二極管產生鍵閤陷坑的原因,併針對超聲能量、鍵閤壓力、載片檯溫度等鍵閤參數對GaAs髮光二極管產生鍵閤陷坑的影響,進行瞭充分的單項試驗,根據試驗結果製定瞭減少GaAs髮光二極管鍵閤陷坑的鍵閤方法,極大提高瞭GaAs髮光二極管的鍵閤可靠性.
신화가(GaAs)발광이겁관LED심편기가작위발광기건,야가작위광전현시기건,병이기저능모고량도적우세피엄범응용,연이유우GaAs재료재궤계성능상적불족,사기흔용역재조장과정중산생건합함갱,병대대비량생산조성영향.문장통과대비분석GaAs여Si적궤계특성이급GaAs발광이겁관적건합특수성,교위계통지천술료GaAs발광이겁관산생건합함갱적원인,병침대초성능량、건합압력、재편태온도등건합삼수대GaAs발광이겁관산생건합함갱적영향,진행료충분적단항시험,근거시험결과제정료감소GaAs발광이겁관건합함갱적건합방법,겁대제고료GaAs발광이겁관적건합가고성.
