科学与财富
科學與財富
과학여재부
SCIENCES & WEALTH
2011年
10期
243-243
,共1页
贾月辉%贺舜%刘希萌%李明媚%曹虹
賈月輝%賀舜%劉希萌%李明媚%曹虹
가월휘%하순%류희맹%리명미%조홍
赝配高电子迁移率晶体管%分子束外延%非接触霍尔测试%二维电子气电子迁移率%二维电子气面密度
贗配高電子遷移率晶體管%分子束外延%非接觸霍爾測試%二維電子氣電子遷移率%二維電子氣麵密度
안배고전자천이솔정체관%분자속외연%비접촉곽이측시%이유전자기전자천이솔%이유전자기면밀도
GaAs PHEMT%MBE%contactless Hall%2DEG density%2DEG electron mobility
设计并采用优化的MBE工艺制备了GaAsPHEMT结构材料，运用非接触霍尔、霍尔等测试方法研究了影响p。和ns的主要因素，优化了OaAs基GaAsPHEMT材料结构，使其u。×n。达到了2．52×10＾18／v·S。
設計併採用優化的MBE工藝製備瞭GaAsPHEMT結構材料，運用非接觸霍爾、霍爾等測試方法研究瞭影響p。和ns的主要因素，優化瞭OaAs基GaAsPHEMT材料結構，使其u。×n。達到瞭2．52×10＾18／v·S。
설계병채용우화적MBE공예제비료GaAsPHEMT결구재료，운용비접촉곽이、곽이등측시방법연구료영향p。화ns적주요인소，우화료OaAs기GaAsPHEMT재료결구，사기u。×n。체도료2．52×10＾18／v·S。
the GaAs PHEMT epitaxial material were designed and fabricated by optimized MBE technology. The factors that affect μn and ns were studied using contactless Hall and Hall. GaAs PHEMT epitaxial material with μn×ns of 2.52×1016/V＇s was obtained.
