材料导报
材料導報
재료도보
MATERIALS REVIEW
2012年
8期
147-149,156
,共4页
纳米晶%球形量子点%电子有效质量
納米晶%毬形量子點%電子有效質量
납미정%구형양자점%전자유효질량
假设镶嵌在介质层(如SiO2、SiC)中的纳米晶(如Si、Ge、Sn)为球形量子点,考虑到电子在纳米晶和介质层中的有效质量差异,对镶嵌在介质层中单电子的所有束缚态的能量和波函数进行精确求解,分析了量子点半径、势垒高度、电子有效质量等对能级的影响.计算结果表明,量子限制效应随着量子点半径的减小而急剧增强,不同材料电子的有效质量对电子能级也有重要影响.Sn纳米晶的半径为22nm左右,Ge的半径和Si的半径分别约为10nm和7nm时,能观察到较为明显的量子限制效应.本模型提出的计算方法快速而准确,并适用于任意尺寸、任意势垒和任意材料的球方势阱量子点系统.
假設鑲嵌在介質層(如SiO2、SiC)中的納米晶(如Si、Ge、Sn)為毬形量子點,攷慮到電子在納米晶和介質層中的有效質量差異,對鑲嵌在介質層中單電子的所有束縳態的能量和波函數進行精確求解,分析瞭量子點半徑、勢壘高度、電子有效質量等對能級的影響.計算結果錶明,量子限製效應隨著量子點半徑的減小而急劇增彊,不同材料電子的有效質量對電子能級也有重要影響.Sn納米晶的半徑為22nm左右,Ge的半徑和Si的半徑分彆約為10nm和7nm時,能觀察到較為明顯的量子限製效應.本模型提齣的計算方法快速而準確,併適用于任意呎吋、任意勢壘和任意材料的毬方勢阱量子點繫統.
가설양감재개질층(여SiO2、SiC)중적납미정(여Si、Ge、Sn)위구형양자점,고필도전자재납미정화개질층중적유효질량차이,대양감재개질층중단전자적소유속박태적능량화파함수진행정학구해,분석료양자점반경、세루고도、전자유효질량등대능급적영향.계산결과표명,양자한제효응수착양자점반경적감소이급극증강,불동재료전자적유효질량대전자능급야유중요영향.Sn납미정적반경위22nm좌우,Ge적반경화Si적반경분별약위10nm화7nm시,능관찰도교위명현적양자한제효응.본모형제출적계산방법쾌속이준학,병괄용우임의척촌、임의세루화임의재료적구방세정양자점계통.
