科技创新导报
科技創新導報
과기창신도보
SCIENCE AND TECHNOLOGY CONSULTING HERALD
2011年
26期
80-80
,共1页
GaN/AlGaN%HEMT%界面态%电导法%退化
GaN/AlGaN%HEMT%界麵態%電導法%退化
GaN/AlGaN%HEMT%계면태%전도법%퇴화
本文通过I-V法测试得到25-200℃范围内GaN/AlGaN HEMT器件直流特性随温度的退化情况,同时通过C-V法测试了器件在25-100℃范围内电容、电导随频率、温度变化的特性。经电导法分析发现器件界面处存在高密度陷阱态进一步分析认为,高密度界面陷阱态是引起器件高温特性退化的原因。
本文通過I-V法測試得到25-200℃範圍內GaN/AlGaN HEMT器件直流特性隨溫度的退化情況,同時通過C-V法測試瞭器件在25-100℃範圍內電容、電導隨頻率、溫度變化的特性。經電導法分析髮現器件界麵處存在高密度陷阱態進一步分析認為,高密度界麵陷阱態是引起器件高溫特性退化的原因。
본문통과I-V법측시득도25-200℃범위내GaN/AlGaN HEMT기건직류특성수온도적퇴화정황,동시통과C-V법측시료기건재25-100℃범위내전용、전도수빈솔、온도변화적특성。경전도법분석발현기건계면처존재고밀도함정태진일보분석인위,고밀도계면함정태시인기기건고온특성퇴화적원인。
