广州化工
廣州化工
엄주화공
GUANGZHOU CHEMICAL INDUSTRY AND TECHNOLOGY
2011年
11期
56-58
,共3页
CdS%掺杂%半导体纳米晶%水相合成技术%光学性质
CdS%摻雜%半導體納米晶%水相閤成技術%光學性質
CdS%참잡%반도체납미정%수상합성기술%광학성질
利用水相合成技术,以巯基乙酸(MAA)为稳定剂,合成了Co:CdS半导体纳米晶.XRD结果表明,得到的掺杂纳米晶为闪锌矿结构,平均粒径约为3.9 nm;FT-IR结果表明,MAA成功包覆在Co:GdS纳米晶的表面;UV-vis吸收谱表明,Co离子成功掺入CdS品格中;PL结果表明,掺杂离子浓度过大会导致CdS发光淬灭;并讨论了相关机理.
利用水相閤成技術,以巰基乙痠(MAA)為穩定劑,閤成瞭Co:CdS半導體納米晶.XRD結果錶明,得到的摻雜納米晶為閃鋅礦結構,平均粒徑約為3.9 nm;FT-IR結果錶明,MAA成功包覆在Co:GdS納米晶的錶麵;UV-vis吸收譜錶明,Co離子成功摻入CdS品格中;PL結果錶明,摻雜離子濃度過大會導緻CdS髮光淬滅;併討論瞭相關機理.
이용수상합성기술,이구기을산(MAA)위은정제,합성료Co:CdS반도체납미정.XRD결과표명,득도적참잡납미정위섬자광결구,평균립경약위3.9 nm;FT-IR결과표명,MAA성공포복재Co:GdS납미정적표면;UV-vis흡수보표명,Co리자성공참입CdS품격중;PL결과표명,참잡리자농도과대회도치CdS발광쉬멸;병토론료상관궤리.
