材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2010年
20期
31-34
,共4页
陈雪梅%唐利斌%万锐敏%王茺%杨宇
陳雪梅%唐利斌%萬銳敏%王茺%楊宇
진설매%당리빈%만예민%왕충%양우
GaNxAs1-x薄膜%价带分裂%晶格膨胀%温度
GaNxAs1-x薄膜%價帶分裂%晶格膨脹%溫度
GaNxAs1-x박막%개대분렬%정격팽창%온도
利用分子束外延(MBE)技术在GaAs(001)衬底上生长了GaN0.01As0.99薄膜,然后使用光调制反射(PR)光谱研究了薄膜的光学性质和能带结构.PR光谱实验表明GaN0.01As0.99/GaAs薄膜价带在Γ点发生轻、重空穴分裂,且分裂的轻、重空穴带到导带边的2个跃迁峰随着温度的升高均发生红移.采用Varshni法则、Bose-Einstein关系和BAC模型分别对轻、重空穴的能隙分裂和红移特征进行了拟合.分析结果表明,随着温度的升高,GaNAs外延层与GaAs衬底间晶格失配的减少可能是导致应变能和价带分裂能量减少的主要因素.
利用分子束外延(MBE)技術在GaAs(001)襯底上生長瞭GaN0.01As0.99薄膜,然後使用光調製反射(PR)光譜研究瞭薄膜的光學性質和能帶結構.PR光譜實驗錶明GaN0.01As0.99/GaAs薄膜價帶在Γ點髮生輕、重空穴分裂,且分裂的輕、重空穴帶到導帶邊的2箇躍遷峰隨著溫度的升高均髮生紅移.採用Varshni法則、Bose-Einstein關繫和BAC模型分彆對輕、重空穴的能隙分裂和紅移特徵進行瞭擬閤.分析結果錶明,隨著溫度的升高,GaNAs外延層與GaAs襯底間晶格失配的減少可能是導緻應變能和價帶分裂能量減少的主要因素.
이용분자속외연(MBE)기술재GaAs(001)츤저상생장료GaN0.01As0.99박막,연후사용광조제반사(PR)광보연구료박막적광학성질화능대결구.PR광보실험표명GaN0.01As0.99/GaAs박막개대재Γ점발생경、중공혈분렬,차분렬적경、중공혈대도도대변적2개약천봉수착온도적승고균발생홍이.채용Varshni법칙、Bose-Einstein관계화BAC모형분별대경、중공혈적능극분렬화홍이특정진행료의합.분석결과표명,수착온도적승고,GaNAs외연층여GaAs츤저간정격실배적감소가능시도치응변능화개대분렬능량감소적주요인소.
