中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
CHINA INTEGRATED CIRCUIT
2010年
3期
34-42
,共9页
内嵌式%非挥发性内存%NEOBIT%NEOFLASH%SONOS
內嵌式%非揮髮性內存%NEOBIT%NEOFLASH%SONOS
내감식%비휘발성내존%NEOBIT%NEOFLASH%SONOS
内嵌式非挥发性内存,具备高良率、高精准度与配合系统做参数调效的特性,能使整体系统具最短开发时程与生产成本.内嵌式非挥发性内存的发展可分为传统型与逻辑型.传统型内嵌式非挥发性内存的制造过程相当复杂,相对于一般逻辑制程来说,需额外增加7-9道光罩.逻辑型非挥发性存储器则不同于传统型,其利用一般逻辑制程中之I/O组件来组成非挥发性内存之核心存储单元.基于技术成熟度与生产成本因素,逻辑型非挥发性内存成为在逻辑制程中使用度最高之解决方案.其可应用之范围包含所有使用兼容于一般逻辑制程的数字/模拟芯片.未来逻辑型非挥发性内存解决方案会成为一标准化设计,并被广泛使用于各类消费型电子产品中.
內嵌式非揮髮性內存,具備高良率、高精準度與配閤繫統做參數調效的特性,能使整體繫統具最短開髮時程與生產成本.內嵌式非揮髮性內存的髮展可分為傳統型與邏輯型.傳統型內嵌式非揮髮性內存的製造過程相噹複雜,相對于一般邏輯製程來說,需額外增加7-9道光罩.邏輯型非揮髮性存儲器則不同于傳統型,其利用一般邏輯製程中之I/O組件來組成非揮髮性內存之覈心存儲單元.基于技術成熟度與生產成本因素,邏輯型非揮髮性內存成為在邏輯製程中使用度最高之解決方案.其可應用之範圍包含所有使用兼容于一般邏輯製程的數字/模擬芯片.未來邏輯型非揮髮性內存解決方案會成為一標準化設計,併被廣汎使用于各類消費型電子產品中.
내감식비휘발성내존,구비고량솔、고정준도여배합계통주삼수조효적특성,능사정체계통구최단개발시정여생산성본.내감식비휘발성내존적발전가분위전통형여라집형.전통형내감식비휘발성내존적제조과정상당복잡,상대우일반라집제정래설,수액외증가7-9도광조.라집형비휘발성존저기칙불동우전통형,기이용일반라집제정중지I/O조건래조성비휘발성내존지핵심존저단원.기우기술성숙도여생산성본인소,라집형비휘발성내존성위재라집제정중사용도최고지해결방안.기가응용지범위포함소유사용겸용우일반라집제정적수자/모의심편.미래라집형비휘발성내존해결방안회성위일표준화설계,병피엄범사용우각류소비형전자산품중.
