微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2009年
7期
410-413
,共4页
王建峰%商耀辉%武一宾%牛晨亮%卜夏正
王建峰%商耀輝%武一賓%牛晨亮%蔔夏正
왕건봉%상요휘%무일빈%우신량%복하정
自组装量子点%垂直耦合量子点%阱内量子点%柱状岛量子点%S-K模式%分子束外延%光致发光谱
自組裝量子點%垂直耦閤量子點%阱內量子點%柱狀島量子點%S-K模式%分子束外延%光緻髮光譜
자조장양자점%수직우합양자점%정내양자점%주상도양자점%S-K모식%분자속외연%광치발광보
为了获得波长长、均匀性好和发光效率高的量子点,采用分子束外延(MBE)技术和S-K应变自组装模式,在GaAS(100)衬底上研究生长了三种InAs量子点.采用MBE配备的RHEED确定了工艺参数:As压维持在1.33×10-5Pa;InAS量子点和In0.2Ga0.8As的生长温度为500℃;565℃生长50 nm GaAs覆盖层.生长了垂直耦合量子点(InAs 1.8 ML/GaAs 5 nm/InAs 1.8ML)、阱内量子点(In0.2Ga0.8As 5 nm/InAs2.4 ML/In0.2Ga0.8As 5 nm)和柱状岛量子点(InAs分别生长1.9、1.7、1.5 ML,停顿20 S后,生长间隔层GaAs 2 nm).测得对应的室温光致发光(PL)谱峰值波长分别为1.038、1.201、1.087μm,半峰宽为119.6、128.0、72.2 nm、相对发光强度为0.034、0.153、0.29.根据PL谱的峰位、半峰宽和相对发光强与量子点波长、均匀性和发光效率的对应关系,可知量子点波长有不同程度的增加、均匀性越来越好、发光效率显著增强.
為瞭穫得波長長、均勻性好和髮光效率高的量子點,採用分子束外延(MBE)技術和S-K應變自組裝模式,在GaAS(100)襯底上研究生長瞭三種InAs量子點.採用MBE配備的RHEED確定瞭工藝參數:As壓維持在1.33×10-5Pa;InAS量子點和In0.2Ga0.8As的生長溫度為500℃;565℃生長50 nm GaAs覆蓋層.生長瞭垂直耦閤量子點(InAs 1.8 ML/GaAs 5 nm/InAs 1.8ML)、阱內量子點(In0.2Ga0.8As 5 nm/InAs2.4 ML/In0.2Ga0.8As 5 nm)和柱狀島量子點(InAs分彆生長1.9、1.7、1.5 ML,停頓20 S後,生長間隔層GaAs 2 nm).測得對應的室溫光緻髮光(PL)譜峰值波長分彆為1.038、1.201、1.087μm,半峰寬為119.6、128.0、72.2 nm、相對髮光彊度為0.034、0.153、0.29.根據PL譜的峰位、半峰寬和相對髮光彊與量子點波長、均勻性和髮光效率的對應關繫,可知量子點波長有不同程度的增加、均勻性越來越好、髮光效率顯著增彊.
위료획득파장장、균균성호화발광효솔고적양자점,채용분자속외연(MBE)기술화S-K응변자조장모식,재GaAS(100)츤저상연구생장료삼충InAs양자점.채용MBE배비적RHEED학정료공예삼수:As압유지재1.33×10-5Pa;InAS양자점화In0.2Ga0.8As적생장온도위500℃;565℃생장50 nm GaAs복개층.생장료수직우합양자점(InAs 1.8 ML/GaAs 5 nm/InAs 1.8ML)、정내양자점(In0.2Ga0.8As 5 nm/InAs2.4 ML/In0.2Ga0.8As 5 nm)화주상도양자점(InAs분별생장1.9、1.7、1.5 ML,정돈20 S후,생장간격층GaAs 2 nm).측득대응적실온광치발광(PL)보봉치파장분별위1.038、1.201、1.087μm,반봉관위119.6、128.0、72.2 nm、상대발광강도위0.034、0.153、0.29.근거PL보적봉위、반봉관화상대발광강여양자점파장、균균성화발광효솔적대응관계,가지양자점파장유불동정도적증가、균균성월래월호、발광효솔현저증강.
