光电子技术
光電子技術
광전자기술
OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY
2009年
2期
122-124
,共3页
异质外延%低温缓冲层%应变超晶格%金属有机物气相外延
異質外延%低溫緩遲層%應變超晶格%金屬有機物氣相外延
이질외연%저온완충층%응변초정격%금속유궤물기상외연
用低压金属有机物气相外延(LP-MOCVD)技术,采用低温缓冲层生长法,在GaAs(100)衬底上直接生长了高质量的InP外延层.1.2 μm InP(004)面X射线衍射(XRD) ω-2θ和ω扫描半高全宽(FWHM)分别为373 arcsec和455 arcsec,在外延层中插入10周期Ga0.1In0.9P/InP应变超晶格后,其半高全宽分别下降为338 arcsec和391 arcsec.透射电子显微镜(TEM)测试显示,应变超晶格有效地抑制了失配位错穿进外延层,表明晶体质量得到了较大提高.
用低壓金屬有機物氣相外延(LP-MOCVD)技術,採用低溫緩遲層生長法,在GaAs(100)襯底上直接生長瞭高質量的InP外延層.1.2 μm InP(004)麵X射線衍射(XRD) ω-2θ和ω掃描半高全寬(FWHM)分彆為373 arcsec和455 arcsec,在外延層中插入10週期Ga0.1In0.9P/InP應變超晶格後,其半高全寬分彆下降為338 arcsec和391 arcsec.透射電子顯微鏡(TEM)測試顯示,應變超晶格有效地抑製瞭失配位錯穿進外延層,錶明晶體質量得到瞭較大提高.
용저압금속유궤물기상외연(LP-MOCVD)기술,채용저온완충층생장법,재GaAs(100)츤저상직접생장료고질량적InP외연층.1.2 μm InP(004)면X사선연사(XRD) ω-2θ화ω소묘반고전관(FWHM)분별위373 arcsec화455 arcsec,재외연층중삽입10주기Ga0.1In0.9P/InP응변초정격후,기반고전관분별하강위338 arcsec화391 arcsec.투사전자현미경(TEM)측시현시,응변초정격유효지억제료실배위착천진외연층,표명정체질량득도료교대제고.
