中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
CHINA INTEGRATED CIRCUIT
2009年
1期
23-28
,共6页
半导体元器件%晶闸管%芯片/沟槽栅%绝缘栅双极晶体管
半導體元器件%晶閘管%芯片/溝槽柵%絕緣柵雙極晶體管
반도체원기건%정갑관%심편/구조책%절연책쌍겁정체관
概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,Trench IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT等.
概述瞭自IGBT髮明以來其主要結構和相應性能的改進,包括芯片集電結附近(下層)結構的改進(透明集電區),耐壓層附近(中層)結構的改進(NPT,FS/SPT等)和近錶層(上層)結構的改進(溝槽柵結構,註入增彊結構等),以及由它們組閤成的NPT-IGBT,Trench IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT等.
개술료자IGBT발명이래기주요결구화상응성능적개진,포괄심편집전결부근(하층)결구적개진(투명집전구),내압층부근(중층)결구적개진(NPT,FS/SPT등)화근표층(상층)결구적개진(구조책결구,주입증강결구등),이급유타문조합성적NPT-IGBT,Trench IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT등.
