天津理工大学学报
天津理工大學學報
천진리공대학학보
JOURNAL OF TIANJIN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
2008年
4期
5-7
,共3页
ZnO薄膜%射频磁控溅射%衬底温度
ZnO薄膜%射頻磁控濺射%襯底溫度
ZnO박막%사빈자공천사%츤저온도
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备ZnO薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对不同衬底温度下制备薄膜的相结构和表面形貌进行分析.结果表明,在衬底温度为400℃时制备的ZnO薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀,结构致密,且沿c轴择优生长.
採用射頻磁控濺射法在玻璃襯底上製備ZnO薄膜.用X射線衍射儀(XRD)、掃描電鏡(SEM)對不同襯底溫度下製備薄膜的相結構和錶麵形貌進行分析.結果錶明,在襯底溫度為400℃時製備的ZnO薄膜錶麵光滑,晶粒呎吋均勻,結構緻密,且沿c軸擇優生長.
채용사빈자공천사법재파리츤저상제비ZnO박막.용X사선연사의(XRD)、소묘전경(SEM)대불동츤저온도하제비박막적상결구화표면형모진행분석.결과표명,재츤저온도위400℃시제비적ZnO박막표면광활,정립척촌균균,결구치밀,차연c축택우생장.